Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"Gilfert, C."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gready, D., Eisenstein, G., Ivanov, V., Gilfert, C., Schnabel, F., Rippien, A., Reithmaier, J.P., Bornholdt, C.
We report static and dynamic characteristics of InAs/InP quantum dot (QD) lasers emitting near 1.55 mum. The gain section was optimized for a high speed operation using a unique spatially resolved model. The measured modulation capability dependence
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::1aeaa16008b6fdfbb556bbc5aefdfd5a
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/235443
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/235443
Semiconductor-based narrow-line and high-brilliance 193 nm laser system for industrial applications.
Autor:
Opalevs, D., Scholz, M., Stuhler, J., Gilfert, C., Liu, L. J., Wang, X. Y., Vetter, A., Kirner, R., Scharf, T., Noell, W., Rockstuhl, C., Li, R. K., Chen, C. T., Voelkel, R., Leisching, P.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 10/14/2017, Vol. 10511, p1-6, 6p
Autor:
Clarkson, W. Andrew, Shori, Ramesh K., Opalevs, D., Scholz, M., Stuhler, J., Gilfert, C., Liu, L. J., Wang, X. Y., Vetter, A., Kirner, R., Scharf, T., Noell, W., Rockstuhl, C., Li, R. K., Chen, C. T., Voelkel, R., Leisching, P.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; February 2018, Vol. 10511 Issue: 1 p105112C-105112C-6, 946015p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2010 International Semiconductor Conference (CAS); 2010, p173-176, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.