Zobrazeno 1 - 10 of 86 pro vyhledávání: '"Gila, Brent P."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Deposition of sputtered NiO as a p-type layer for heterojunction diodes with Ga2O3.
Autor: Li, Jian-Sian, Xia, Xinyi, Chiang, Chao-Ching, Hays, David C., Gila, Brent P., Craciun, Valentin, Ren, Fan, Pearton, S. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; Jan2023, Vol. 41 Issue 1, p1-8, 8p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Growth of (SmxGa1−x)2O3 by molecular beam epitaxy.
Autor: Stewart, Anthony D., Gila, Brent P., Abernathy, Cammy R., Pearton, S. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; Dec2022, Vol. 40 Issue 6, p1-9, 9p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Growth and characterization of (Sc2O3)x(Ga2O3)1−x by molecular beam epitaxy.
Autor: Hlad, Mark S., Gila, Brent P., Abernathy, Cammy R., Ren, Fan, Pearton, S. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; Jul2022, Vol. 40 Issue 4, p1-10, 10p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Synthesis of graphene and graphene nanostructures by ion implantation and pulsed laser annealing.
Autor: Xiaotie Wang, Berke, Kara, Rudawski, Nicholas G., Venkatachalam, Dinesh K., Elliman, Robert G., Fridmann, Joel, Hebard, Arthur F., Fan Ren, Gila, Brent P., Appleton, Bill R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 2, p025105-1-025105-9, 9p, 5 Diagrams, 2 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Generating User Engagement in an Academic Core Research Facility.
Autor: Gila, Brent P.
Publikováno v: Microscopy & Microanalysis; 2022 Supplement, Vol. 28, p2966-2968, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Effect of thermal annealing for W/β-Ga2O3 Schottky diodes up to 600 °C.
Autor: Xian, Minghan, Fares, Chaker, Ren, Fan, Gila, Brent P., Chen, Yen-Ting, Liao, Yu-Te, Tadjer, Marko, Pearton, Stephen J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Nov2019, Vol. 37 Issue 6, p1-6, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje