Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"Ghoshal SK"'
Autor:
Melese, G, Ghoshal, SK
Publikováno v:
Ethiopian Journal of Education and Sciences; Vol 9, No 2 (2014); 35-40
Silicon (Si) and germanium (Ge) have an indirect band gap transitions; however when they are miniaturized to nanometer scale, the energy gap between the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) incr
Publikováno v:
Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers: Part E: Journal of Process Mechanical Engineering (Sage Publications, Ltd.); Jul2019, Vol. 233 Issue 3, p508-525, 18p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers, Part I: Journal of Systems and Control Engineering; September 2015, Vol. 229 Issue: 8 p761-777, 17p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.