Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"Ghosh, Anudeepa"'
Autor:
Das, Bikash, Ghosh, Subrata, Sengupta, Shamashis, Auban-Senzier, Pascale, Monteverde, Miguel, Dalui, Tamal Kumar, Kundu, Tanima, Saha, Rafikul Ali, Maity, Sujan, Paramanik, Rahul, Ghosh, Anudeepa, Palit, Mainak, Bhattacharjee, Jayanta K, Mondal, Rajib, Datta, Subhadeep
Manipulation of long-range order in two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) magnetic materials (e.g., CrI$_3$, CrSiTe$_3$ etc.), exfoliated in few-atomic layer, can be achieved via application of electric field, mechanical-constraint, interface engi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.06732
Autor:
Mallick, Bidyut, Palit, Mainak, Jana, Rajkumar, Das, Soumik, Ghosh, Anudeepa, Sunil, Janaky, Maity, Sujan, Das, Bikash, Kundu, Tanima, Narayana, Chandrabhas, Datta, Ayan, Datta, Subhadeep
In two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) layered materials the application of pressure often induces a giant lattice collapse, which can subsequently drive an associated Mott transition. Here, we investigate room-temperature layer-dependent insula
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.01204
Autor:
Kundu, Tanima, Pal, Barnik, Das, Bikash, Paramanik, Rahul, Maity, Sujan, Ghosh, Anudeepa, Palit, Mainak, Kopciuszynski, Marek, Barinov, Alexei, Mahatha, Sanjoy Kr, Datta, Subhadeep
Tuning the ambipolar behavior in charge carrier transport via defect-engineering is crucial for achieving high mobility transistors for nonlinear logic circuits. Here, we present the electric-field tunable electron and hole transport in a microchanne
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2302.06491
Autor:
Maity, Sujan, Dey, Dibyendu, Ghosh, Anudeepa, Masanta, Suvadip, De, Binoy Krishna, Kunwar, Hemant Singh, Das, Bikash, Kundu, Tanima, Palit, Mainak, Bera, Satyabrata, Dolui, Kapildeb, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Yu, Liping, Taraphder, A, Datta, Subhadeep
Induced magnetic order in a topological insulator (TI) can be realized either by depositing magnetic adatoms on the surface of a TI or engineering the interface with epitaxial thin film or stacked assembly of two-dimensional (2D) van der Waals (vdW)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.12772
Autor:
Das, Bikash, Dolui, Kapildeb, Paramanik, Rahul, Kundu, Tanima, Maity, Sujan, Ghosh, Anudeepa, Palit, Mainak, Datta, Subhadeep
One-dimensional (1D) van der Waals (vdW) materials offer nearly defect-free strands as channel material in the field-effect transistor (FET) devices and probably, a better interconnect than conventional copper with higher current density and resistan
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2209.03296
Autor:
Ghosh, Anudeepa, Birowska, Magdalena, Ghose, Pradeepta Kumar, Rybak, Miłosz, Maity, Sujan, Ghosh, Somsubhra, Das, Bikash, Dey, Koushik, Bera, Satyabrata, Bhardwaj, Suresh, Nandi, Shibabrata, Datta, Subhadeep
We report anisotropic magnetodielectric (MD) coupling in layered van der Waals (vdW) antiferromagnetic (AFM) FePS$_3$ (N\'eel temperature $T_{\mathrm{N}}$ $\sim$ 120K) with perpendicular anisotropy. Above $T_N$, while dielectric response function alo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2208.02729
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.