Zobrazeno 1 - 10
of 58
pro vyhledávání: '"Ghita, R.V."'
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 February 2016 363:83-90
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 2008 11(5):394-397
Autor:
Negrila, C.C., Logofatu, C., Ghita, R.V., Cotirlan, C., Ungureanu, F., Manea, A.S., Lazarescu, M.F.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2008 310(7):1576-1582
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2002 240(3):401-406
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1999 338(1):46-48
33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 124-127
Gallium antimonide (GaSb) is an III-V semiconducting compound with a distinct lattice and band gap energy structure, enabling innovative application in optoelectronic dev
Gallium antimonide (GaSb) is an III-V semiconducting compound with a distinct lattice and band gap energy structure, enabling innovative application in optoelectronic dev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1d76a4e398fb17d1dfd5880ac8ee5d1c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2009 International Semiconductor Conference; 2009, p455-458, 4p
Publikováno v:
Crystal Research & Technology; Apr2002, Vol. 37 Issue 4, p323-328, 6p