Zobrazeno 1 - 10
of 87
pro vyhledávání: '"Ghita, R."'
Publikováno v:
Moldavian Journal of the Physical Sciences, Vol 9, Iss 3-4, Pp 270-274 (2010)
A real GaAs surface is covered with a relatively thick layer (~nm) of native oxide responsi- ble for the surface Fermi level pinning within the band gap of the semiconductor. The method presented in this work is the sulphur passivation by treating t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/924e7d65540940b79ceaeacc0f75bc01
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Sleep Medicine December 2022 100 Supplement 1:S275-S275
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. Nov2014, Vol. 117 Issue 3, p1359-1365. 7p.
Publikováno v:
Digest Journal of Nanomaterials & Biostructures (DJNB). Jul-Sep2013, Vol. 8 Issue 3, p1335-1344. 10p. 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 7 Graphs.
Autor:
Negrila, C. C., Iconaru, S. L., Motelica-Heino, M., Guegan, R., Predoi, G., Barbuceanu, F., Ghita, R. V., Petre, C. C., Jiga, G., Badea, M. L., Prodan, A. M., Predoi, D.
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 2018, Vol. 1981 Issue 1, p020121-1-020121-4, 4p, 3 Charts
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.