Zobrazeno 1 - 10
of 161
pro vyhledávání: '"Gheisarnejad, Meysam"'
While impressive progress has been already achieved in wide-bandgap (WBG) semicon-ductors such as 4H-SiC and GaN technologies, the lack of intelligent methodologies to control the gate drives prevented to the exploit the maximum potential of semicond
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.04763
Publikováno v:
In International Journal of Hydrogen Energy 19 July 2024 75:354-362
Autor:
Pajooh, Bahareh, Yildirim, Burak, Ardeshiri, Reza Rouhi, Gheisarnejad, Meysam, Homayounzadeh, Maryam, Khooban, Mohammad Hassan
Publikováno v:
In Journal of Energy Storage 20 April 2024 84 Part B
Publikováno v:
In Communications in Nonlinear Science and Numerical Simulation March 2024 130
Publikováno v:
In Journal of Energy Storage 1 November 2023 71
Autor:
Yildirim, Burak, Razmi, Peyman, Fathollahi, Arman, Gheisarnejad, Meysam, Khooban, Mohammad Hassan
Publikováno v:
In Applied Soft Computing Journal September 2023 144
Publikováno v:
In Electric Power Systems Research April 2023 217
Autor:
Faraji, Behnam, Rouhollahi, Korosh, Mollahoseini Paghaleh, Saeed, Gheisarnejad, Meysam, Khooban, Mohammad-Hassan
Publikováno v:
In Biomedical Signal Processing and Control February 2023 80 Part 2
Publikováno v:
In Electric Power Systems Research December 2022 213
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.