Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"Ghandi, Reza"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 361 Issue: 1 p111-116, 6p
Autor:
Chen, Ze Yu, Liu, Yafei, Cheng, Qian Yu, Hu, Shanshan, Raghothamachar, Balaji, Ghandi, Reza, Kennerly, Stacey, Carlson, Charles, Steski, Dannie, Dudley, Michael
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part A: Defect and Diffusion Forum; August 2024, Vol. 434 Issue: 1 p87-92, 6p
Autor:
Torky, Mohamed, He, Zhaowen, Hitchcock, Collin, Ghandi, Reza, Kennerly, Stacey, Chow, T. Paul
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 360 Issue: 1 p151-155, 5p
Autor:
Ghandi, Reza
The superior characteristics of Silicon Carbide as a wide band gap semiconductor have motivated many industrial and non-industrial research groups to consider SiC for the next generations of high power semiconductor devices. The SiC Bipolar Junction
Externí odkaz:
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-29726
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, Ze Yu, Liu, Ya Fei, Peng, Hong Yu, Cheng, Qian Yu, Hu, Shan Shan, Raghothamachar, Balaji, Dudley, Michael, Ghandi, Reza, Kennerly, Stacey, Thieberger, Peter
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part A: Defect and Diffusion Forum; June 2023, Vol. 426 Issue: 1 p51-56, 6p
Autor:
Knoll, Jack, Shawky, Mina, Yen, Sheng-Hung, Eshera, Ibrahim, Dimarino, Christina, Ghandi, Reza, Kennerly, Stacey, Buttay, Cyril
Publikováno v:
2021 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)
2021 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Jun 2021, Phoenix, AZ, United States
2021 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Jun 2021, Phoenix, AZ, United States
International audience; This work demonstrates a novel charge-balanced (CB) silicon carbide (SiC) MOSFET that boasts a specific on-resistance of 10 mΩ•cm 2 at 4 kV breakdown voltage, surpassing the 1-D SiC unipolar limit. This is achieved through
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c412e7b25c5c1f12a02178de7f21e3b9
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03360838/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03360838/document
Autor:
Zeyu Chen, Yafei Liu, Hongyu Peng, Qianyu Cheng, Shanshan Hu, Raghothamachar, Balaji, Dudley, Michael, Ghandi, Reza, Kennerly, Stacey, Thieberger, Peter
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science & Technology; Jun2022, Vol. 11 Issue 6, p306-312, 7p
Autor:
Habersat, Daniel B, Sampath, Anand, Schuster, Jonathan, Smith, Jeremy, Derenge, Michael, Garrett, Gregory, VanMil, Brenda, Wraback, Michael, Bellotti, Enrico, Zhu, Mike, Ghandi, Reza, Dolinsky, Sergei, Aghayan, Mehrnegar
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts; 2024, Vol. MA2024-01 Issue 1, p1577-1577, 1p