Zobrazeno 1 - 10 of 94 pro vyhledávání: '"Gerrer, L."'
1
Akademický článek
Comparison of Si < 100 > and < 110 > crystal orientation nanowire transistor reliability using Poisson–Schrödinger and classical simulations
Autor: Gerrer, L., Georgiev, V., Amoroso, S.M., Towie, E., Asenov, A.
Publikováno v: In Microelectronics Reliability August-September 2015 55(9-10):1307-1312
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
RTN distribution comparison for bulk, FDSOI and FinFETs devices
Autor: Gerrer, L., Amoroso, S.M., Hussin, R., Asenov, A.
Publikováno v: In Microelectronics Reliability September-October 2014 54(9-10):1749-1752
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Modelling RTN and BTI in nanoscale MOSFETs from device to circuit: A review
Autor: Gerrer, L., Ding, J., Amoroso, S.M., Adamu-Lema, F., Hussin, R., Reid, D., Millar, C., Asenov, A.
Publikováno v: In Microelectronics Reliability April 2014 54(4):682-697
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Impact of random dopant fluctuations on trap-assisted tunnelling in nanoscale MOSFETs
Autor: Gerrer, L., Markov, S., Amoroso, S.M., Adamu-Lema, F., Asenov, A.
Publikováno v: In Microelectronics Reliability September-October 2012 52(9-10):1918-1923
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Unified soft breakdown MOSFETs compact model: From experiments to circuit simulation
Autor: Gerrer, L., Rafik, M., Ribes, G., Ghibaudo, G., Vincent, E.
Publikováno v: In Microelectronics Reliability 2010 50(9):1259-1262
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Electronic transport through GaN/AlN single barriers: Effect of polarisation and dislocations
Autor: Leconte, S., Gerrer, L., Monroy, E.
Publikováno v: In Microelectronics Journal February 2009 40(2):339-341
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Comparison of Si <100> and <110> crystal orientation nanowire transistor reliability using Poisson–Schrödinger and classical simulations
Autor: Gerrer, L., Georgiev, V., Amoroso, S.M., Towie, E., Asenov, A.
In this paper we perform trap sensitivity simulation analysis of square nanowire transistors (NWTs), comparing\ud Poisson–Schrödinger (PS) and classical solutions. Both approaches result in very different electrostatic behaviour\ud due to strong q
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::2a0452d9cf17c8916e7f7d52b31abde5
https://eprints.gla.ac.uk/110223/1/110223.pdf
Zobrazit plný text záznamu
9
Investigation of the RTN Distribution of nanoscale MOS devices from subthreshold to on-state
Autor: Amoroso, S.M., Compagnoni, C.M., Ghetti, A., Gerrer, L., Spinelli, A.S., Lacaita, A.L., Asenov, A.
This letter presents a numerical investigation of the statistical distribution of the random telegraph noise (RTN) amplitude in nanoscale MOS devices, focusing on the change of its main features when moving from the subthreshold to the on-state condu
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::b94541565a3ab3e626732330b33f0cdc
https://eprints.gla.ac.uk/85851/1/85851.pdf
Zobrazit plný text záznamu
10
Impact of Oxide Progressive Soft Breakdown: Experiment and Modeling
Autor: Gerrer, L., gerard ghibaudo, Jomaah, J., Ribes, G.
Publikováno v: Fringe workshop ESSDERC 08, Edinburgh, UK
Fringe workshop ESSDERC 08, Edinburgh, UK, Sep 2008, Edinburgh, Ireland
HAL
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0a6d30ae988e15e4de3477d9ee16e43e
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00392142
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje