Zobrazeno 1 - 10 of 39 pro vyhledávání: '"Germogenov, V."'
1
Akademický článek
Calculation of electric-field strength profiles in GaAs:Cr epitaxial-diffusion structures.
Autor: Germogenov, V. P.1 germ@elefot.tsu.ru, Ponomarev, I. V.1
Publikováno v: Russian Physics Journal. Sep2008, Vol. 51 Issue 9, p994-999. 6p. 5 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Studying electric field profiles in GaAs-based detector structures by Kelvin probe force microscopy.
Autor: Vilisova, M.1 spti@sibmail.com, Germogenov, V.1, Kaztaev, O.1, Novikov, V.1, Ponomarev, I.1, Titkov, A.1
Publikováno v: Technical Physics Letters. May2010, Vol. 36 Issue 5, p436-438. 3p. 3 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Surface effect on the reverse current of Al x Ga1− x Sb p−n structures.
Autor: Anisimov, O., Germogenov, V., Khludkova, L., Yurkovskii, O.
Publikováno v: Russian Physics Journal; Jan1999, Vol. 42 Issue 1, p38-46, 9p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Inverse layer at the surface of n-AlxGa1−xSb solid solution.
Autor: Germogenov, V., Kalymbetov, O., Pozolotin, V.
Publikováno v: Russian Physics Journal; Jul1998, Vol. 41 Issue 7, p710-714, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Manganese doping of InGaAsP films in liquid-phase epitaxy.
Autor: Germogenov, V., Ivleva, O., Ponomarev, S., Khludkova, L., Épiktetova, L.
Publikováno v: Russian Physics Journal; 1992, Vol. 35 Issue 1, p20-26, 7p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Analysis of critical melt supercooling for heteroepitaxy of AlGaSb by GaSb.
Autor: Germogenov, V., Pozolotin, V.
Publikováno v: Soviet Physics Journal; 1988, Vol. 31 Issue 2, p123-127, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Study of perfection of layers of AlGaSb(AS) solid solution.
Autor: Germogenov, V., Ivleva, O., Otman, Ya., Épiktetova, L.
Publikováno v: Soviet Physics Journal; 1988, Vol. 31 Issue 1, p73-77, 5p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Formation of p-n junctions in tellurium-doped AlGaSb(As) (x = 0.15-0.20) solid solution layers.
Autor: Vyatkin, A., Germogenov, V., Otman, Ya., Khludkova, L.
Publikováno v: Soviet Physics Journal; 1984, Vol. 27 Issue 11, p985-988, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Doping of solid solutions in liquid epitaxy. III. Tellurium in AlGaSb.
Autor: Vilisov, A., Germogenov, V., Maksimova, N., Épiktetova, L.
Publikováno v: Soviet Physics Journal; 1980, Vol. 23 Issue 4, p284-289, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Surface-barrier structures on AlGaSb. II. Band gap dependence of barrier height.
Autor: Arbuzova, G., Vilisov, A., Germogenov, V., Maksimova, N.
Publikováno v: Soviet Physics Journal; 1979, Vol. 22 Issue 6, p589-593, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje