Investigation of BV dss instability in trench power MOSFET through DLTS, electrical characterization and TCAD simulations

Autor: Ruggeri, Marina, Calenzo, Patrick, Morancho, Frédéric, Masoero, Lia, Germana, Rosalia, Nodari, Alessandro, Monflier, Richard

Publikováno v: 2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), May 2023, Hong Kong, China. pp.36-39, ⟨10.1109/ISPSD57135.2023.10147489⟩

International audience; In this paper, we investigated the drain to source breakdown voltage (BVdss) instability during avalanche current drain stress of Shielded Gate MOSFET (SG-MOSFET) structure and we propose a new methodology to correlate electri

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4074::be3e7d099642af0003a284be1d308cd5
https://hal.laas.fr/hal-04141241

1278, febrer, 27. Capbreu

Autor: Monestir de Sant Daniel de Girona

Publikováno v: Document original: Monestir Sant Daniel de Girona, perg. 246

Signatura antiga: 241*. Aquest pergamí fou catalogat per la germana Rosalia amb el número 95, però Josep M. Marquès en el seu diplomatari descobrí un error de redacció en el document que el feia cinquanta anys anterior a la data més probable d

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2348::b45507cd786dcaba45b81a2d02b0291b
https://hdl.handle.net/10256.2/14711