Zobrazeno 1 - 10
of 237
pro vyhledávání: '"Gelinck G.H."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Moonen, P.F., Vratzov, B., Smaal, W.T.T., Gelinck, G.H., Péter, M., Meinders, E.R., Huskens, J.
Publikováno v:
In Organic Electronics 2011 12(12):2207-2214
Autor:
Myny, K., Steudel, S., Smout, S., Vicca, P., Furthner, F., van der Putten, B., Tripathi, A.K., Gelinck, G.H., Genoe, J., Dehaene, W., Heremans, P.
Publikováno v:
In Organic Electronics 2010 11(7):1176-1179
Autor:
Tordera, D., van Breemen, A.J.J.M., Kronemeijer, A.J., van der Steen, J.-L., Peeters, B., Shanmugan, S., Akkerman, H.B., Gelinck, G.H.
Publikováno v:
In Organic Flexible Electronics 2021:575-597
Publikováno v:
In Organic Electronics 2009 10(7):1252-1258
Publikováno v:
FLEPS 2019-IEEE International Conference on Flexible and Printable Sensors and Systems, Proceedings, 1st IEEE International Conference on Flexible and Printable Sensors and Systems, FLEPS 2019, 7 July 2019 through 10 July 2019
Thermal imagers conventionally consist of a suspended sensing element on support structure with patterned thermal detection layer to get good thermal isolation between sensor elements[1]. Large area and wearable thermal imaging applications require c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f0ce88bb31b06f42c72024f112f98da2
http://resolver.tudelft.nl/uuid:afdd5661-3f15-4c6c-a0e8-e4661b037c3d
http://resolver.tudelft.nl/uuid:afdd5661-3f15-4c6c-a0e8-e4661b037c3d
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials
A unique vertical organic field-effect transistor structure in which highly doped silicon nanopillars are utilized as a gate electrode is demonstrated. An additional dielectric layer, partly covering the source, suppresses bulk conduction and lowers
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f9a0729835c159b2f65065e374df3f5f
http://resolver.tudelft.nl/uuid:e75edefd-ec0c-400b-b7c8-77252552ef46
http://resolver.tudelft.nl/uuid:e75edefd-ec0c-400b-b7c8-77252552ef46