Zobrazeno 1 - 10 of 10 pro vyhledávání: '"Gelatos, C."'
1
Akademický článek
Formation of Titanium Silicide on Narrow Gates Using Laser Thermal Processing.
Autor: Verma, G., Gelatos, C., Talwar, S., Bravman, J. C.
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices. Jan2002, Vol. 49 Issue 1, p42. 6p. 1 Black and White Photograph, 4 Diagrams, 1 Chart, 2 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
2
Conference
Sub-melt laser annealing followed by low-temperature RTP for minimized diffusion.
Autor: Felch, S.B., Downey, D.F., Arevalo, A., Talwar, S., Gelatos, C., Wang, Y.
Publikováno v: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432); 2000, p167-170, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
The Effects Of Passivation And Post Passivation Anneal On The Integrity Of Thin Gate Oxides.
Autor: Gelatos, C., Hsing-Huang Tseng, Filipiak, S., Sieloj, D., Grant, J., Tobin, P., Cotton, R.
Publikováno v: Proceedings of Technical Papers International Symposium on VLSI Technology, Systems & Applications; 1997, p188-192, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Reverse antenna effect due to process-induced quasi-breakdown of gate oxide.
Autor: Chen, J.F., Gelatos, C., Tobin, P., Shimer, R., Chenming Hu
Publikováno v: 1996 International Integrated Reliability Workshop Final Report; 1996, p94-97, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Performance and Reliability of Scaled Gate Dielectrics.
Autor: Paulson, W. M., Tobin, P. J., Tseng, H-H., Maiti, B., Gelatos, C., Hegde, R. I., Anderson, S. G. H.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 1997, Vol. 473 Issue 1, p77-88, 12p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
Plasma Induced Charging Evaluation Using SCA And PDM Tools.
Autor: Karzhavin, Y., Lao, K., Wei Wu, Gelatos, C.
Publikováno v: 2nd International Symposium on Plasma Process-Induced Damage; 1997, p143-146, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
High performance 20 /spl Aring/ NO oxynitride for gate dielectric in deep subquarter micron CMOS technology.
Autor: Maiti, B., Tobin, P.J., Misra, V., Hegde, R.I., Reid, K.G., Gelatos, C.
Publikováno v: International Electron Devices Meeting IEDM Technical Digest; 1997, p651-654, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje