Zobrazeno 1 - 10
of 181
pro vyhledávání: '"Gelardi, F. M."'
Autor:
Panasci, S. E., Schilirò, E., Migliore, F., Cannas, M., Gelardi, F. M., Roccaforte, F., Giannazzo, F., Agnello, S.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 119, 093103 (2021)
The gold-assisted exfoliation is a very effective method to produce large-area ($cm^2$-scale) membranes of molybdenum disulfide ($MoS_2$) for electronics. However, the strong $MoS_2/Au$ interaction, beneficial for the exfoliation process, has a stron
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2108.09544
Autor:
Panasci, S. E., Schilirò, E., Greco, G., Cannas, M., Gelardi, F. M., Agnello, S., Roccaforte, F., Giannazzo, F.
Publikováno v:
ACS Appl. Mater. Interfaces 2021
Gold-assisted mechanical exfoliation currently represents a promising method to separate ultra-large (cm-scale) transition metal dichalcogenides (TMDs) monolayers (1L) with excellent electronic and optical properties from the parent van der Waals (vd
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.13278
Autor:
Schilirò, E., Nigro, R. Lo, Panasci, S. E., Gelardi, F. M., Agnello, S., Yakimova, R., Roccaforte, F., Giannazzo, F.
Publikováno v:
Carbon 169 (2020) 172-181
In this work, the nucleation and growth mechanism of aluminum oxide (Al2O3) in the early stages of the direct atomic layer deposition (ALD) on monolayer epitaxial graphene (EG) on silicon carbide (4H-SiC) has been investigated by atomic force microsc
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.14427
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Migliore, F., Alessi, A., Principato, F., Girard, S., Cannas, M., Gelardi, F. M., Lombardo, A., Vecchio, D., Brischetto, A., Agnello, S.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 1/22/2024, Vol. 124 Issue 4, p1-6, 6p
Publikováno v:
Physical Review B, Vol. 77, Number 15, Pages 155214 1-5, Year 2008
We report a combined study by optical absorption (OA) and electron paramagnetic resonance (EPR) spectroscopy on the E'-alpha point defect in amorphous silicon dioxide (a-SiO2). This defect has been studied in beta-ray irradiated and thermally treated
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0805.2076
Publikováno v:
Physical Review Letters, Vol. 97, Issue 13, Page 135502, (2006)
We report a study by electron paramagnetic resonance (EPR) on the E'_\alpha point defect in amorphous silicon dioxide (a-SiO2). Our experiments were performed on gamma-ray irradiated oxygen-deficient materials and pointed out that the 29Si hyperfine
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0609643
Publikováno v:
Physical Review B, Vol. 73, Page 045208, 2006
We report an experimental study by electron paramagnetic resonance (EPR) of gamma ray irradiation induced point defects in oxygen deficient amorphous SiO2 materials. We have found that three intrinsic (E'gamma, E'delta and triplet) and one extrinsic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0505503