Zobrazeno 1 - 10 of 170 pro vyhledávání: '"Geisz, J."'
1
Akademický článek
Graded buffer Bragg reflectors with high reflectivity and transparency for metamorphic optoelectronics.
Autor: France, R. M., Buencuerpo, J., Bradsby, M., Geisz, J. F., Sun, Y., Dhingra, P., Lee, M. L., Steiner, M. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/7/2021, Vol. 129 Issue 17, p1-12, 12p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Apparent bandgap shift in the internal quantum efficiency for solar cells with back reflectors.
Autor: Steiner, M. A., Perl, E. E., Geisz, J. F., Friedman, D. J., Jain, N., Levi, D., Horner, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 121 Issue 16, p1-6, 6p, 2 Diagrams, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Effective mass and conduction band dispersion of GaAsN/GaAs quantum wells
Autor: Skierbiszewski, C. *, Łepkowski, S.P., Perlin, P., Suski, T., Jantsch, W., Geisz, J.
Publikováno v: In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2002 13(2):1078-1081
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Metamorphic Ga0.76In0.24As/GaAs0.75Sb0.25 tunnel junctions grown on GaAs substrates.
Autor: Garcĺa, I., Geisz, J. F., France, R. M., Kang, J., Wei, S.-H., Ochoa, M., Friedman, D. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 7, p074508-1-074508-6, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Mechanically Stacked Dual-Junction and Triple-Junction III-V/Si-IBC Cells with Efficiencies of 31.5 % and 35.4 %
Autor: Rienäcker, M., Schnabel, M., Warren, E., Merkle, A., Schulte-Huxel, H., Klein, T.R., Van Hest, M.F.A.M., Steiner, M.A., Geisz, J., Kajari-Schröder, S., Niepelt, R., Schmidt, J., Brendel, R., Stradins, P., Tamboli, A., Peibst, R.
33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 1-4
The theoretical efficiency limit of 29.4 % for single-junction crystalline Silicon (c-Si) solar cells is an insurmountable barrier that is being steadily approached within th
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dac4d993443e9589355fd4a3c381d633
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Optical enhancement of the open-circuit voltage in high quality GaAs solar cells.
Autor: Steiner, M. A., Geisz, J. F., García, I., Friedman, D. J., Duda, A., Kurtz, S. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar2013, Vol. 113 Issue 12, p123109, 11p, 1 Diagram, 2 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
CuPt ordering in high bandgap GaxIn1-xP alloys on relaxed GaAsP step grades.
Autor: Steiner, M. A., Bhusal, L., Geisz, J. F., Norman, A. G., Romero, M. J., Olavarria, W. J., Zhang, Y., Mascarenhas, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep2009, Vol. 106 Issue 6, p063525-1-063525-5, 5p, 1 Black and White Photograph, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Bound exciton luminescence in shock compressed GaP:S and GaP:N.
Autor: Grivickas, P., McCluskey, M. D., Gupta, Y. M., Zhang, Y., Geisz, J. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul2009, Vol. 106 Issue 2, p023710-1-023710-7, 7p, 1 Diagram, 2 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Measurement of built-in electrical potential in III–V solar cells by scanning Kelvin probe microscopy.
Autor: Jiang, Chun-Sheng, Moutinho, H. R., Friedman, D. J., Geisz, J. F., Al-Jassim, M. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/2003, Vol. 93 Issue 12, p10035, 6p, 2 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje