Výsledky vyhledávání - "Geipel, Sascha"

Akademický článek

Charge balancing in GaN-based 2-D electron gas devices employing an additional 2-D hole gas and its influence on dynamic behaviour of GaN-based heterostructure field effect transistors.

Autor: Hahn, Herwig, Reuters, Benjamin, Geipel, Sascha, Schauerte, Meike, Benkhelifa, Fouad, Ambacher, Oliver, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 117 Issue 10, p104508-1-104508-8, 8p, 3 Diagrams, 1 Chart, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.