Zobrazeno 1 - 10 of 27 pro vyhledávání: '"Geil, W."'
1
Akademický článek
Characteristic temperature fields of crystal growth calculated with the aid of heat flow potentials.
Autor: Tänzer, D., Geil, W., Fischbeck, H. J.
Publikováno v: Kristall & Technik; 1981, Vol. 16 Issue 12, p1409-1417, 9p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Interaction between technological parameters and crystal quality during the crystal growth of silicon crystals, free from dislocations.
Autor: Geil, W., Schmugge, K.
Publikováno v: Kristall & Technik; 1979, Vol. 14 Issue 3, p343-350, 8p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Zur Bedeutung radialer und axialer Temperaturgradienten für die Spannungen in Kristallen.
Autor: Geil, W., Schmugge, K.
Publikováno v: Kristall & Technik; 1978, Vol. 13 Issue 2, p195-210, 16p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Über die Versetzungsvervielfachung in Siliziumeinkristallen.
Autor: Geil, W., Schmugge, K.
Publikováno v: Kristall & Technik; 1977, Vol. 12 Issue 11, p1181-1189, 9p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Über Wechselwirkungen zwischen Versetzungsdichte, Fremdstoffen und Spannungen im Siliziumeinkristall.
Autor: Geil, W., Markus, M., Schmugge, K., Thomas, R.
Publikováno v: Kristall & Technik; 1976, Vol. 11 Issue 12, p1265-1273, 9p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Über die Versetzungsverteilung bei der Züchtung von Siliziumeinkristallen.
Autor: Geil, W., Schmugge, K.
Publikováno v: Kristall & Technik; 1976, Vol. 11 Issue 12, p1255-1263, 9p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Über Versetzungsbildungsmechanismen bei der Züchtung von Si-Einkristallen und ihre Deutung.
Autor: Geil, W., Lebek, A., Schmugge, K.
Publikováno v: Kristall & Technik; 1976, Vol. 11 Issue 2, p189-201, 13p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
A New Attempt to Determine the Mutual Influence of Phosphorus and Boron in Photoluminescence Investigations of Silicon.
Autor: Schramm, G., Geil, W.
Publikováno v: Crystal Research & Technology; 1992, Vol. 27 Issue 4, pK61-K64, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
The IR Television Scanning Technique as Temperature Field Control for Growing Silicon Crystals.
Autor: Geil, W., Malitzki, H., Tänzer, D.
Publikováno v: Crystal Research & Technology; 1982, Vol. 17 Issue 6, p723-728, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje