Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"Geens, Karen"'
Autor:
You, Shuzhen, Geens, Karen, Borga, Matteo, Liang, Hu, Hahn, Herwig, Fahle, Dirk, Heuken, Michael, Mukherjee, Kalparupa, De Santi, Carlo, Meneghini, Matteo, Zanoni, Enrico, Berg, Martin, Ramvall, Peter, Kumar, Ashutosh, Björk, Mikael T., Ohlsson, B. Jonas, Decoutere, Stefaan
This paper reviews recent progress and key challenges in process and reliability for high-performance vertical GaN transistors and diodes, focusing on the 200 mm CMOS-compatible technology. We particularly demonstrated the potential of using 200 mm d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.02469
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Magnani, Alessandro, Cosnier, Thibault, Amirifar, Nooshin, Chatterjee, Urmimala, Zhao, Ming, Li, Xiangdong, Geens, Karen, Decoutere, Stefaan
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability March 2021 118
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Filho, Walter Gonçalez, Borga, Matteo, Geens, Karen, Khan, Md Arif, Cingu, Deepthi, Chatterjee, Urmimala, Vohra, Anurag, Decoutere, Stefaan, Bakeroot, Benoit
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 3/11/2024, Vol. 124 Issue 11, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Geens, Karen, Borga, M., Khan, M. A., Filho, W. Goncalez, Vohra, A., Banerjee, S., Lee, K. J., Chatterjee, U., Cingu, D., Bakeroot, B., Decoutere, S.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 2024, Vol. 71 Issue: 3 p1488-1493, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.