Zobrazeno 1 - 10 of 36 pro vyhledávání: '"Gedvilas, L. M."'
2
Akademický článek
On the influence of short and medium range order on the material band gap in hydrogenated amorphous silicon.
Autor: Mahan, A. H., Biswas, R., Gedvilas, L. M., Williamson, D. L., Pan, B. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/2004, Vol. 96 Issue 7, p3818-3826, 9p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Properties of thin film silicon nitride deposited by hot wire chemical vapor deposition using silane, ammonia, and hydrogen gas mixtures.
Autor: Mahan, A. H., Dillon, A. C., Gedvilas, L. M., Williamson, D. L., Perkins, J. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/2003, Vol. 94 Issue 4, p2360-2367, 8p, 2 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Effective electron mass and plasma filter characterization of n-type InGaAs and InAsP.
Autor: Metzger, W. K., Wanlass, M. W., Gedvilas, L. M., Verley, J. C., Carapella, J. J., Ahrenkiel, R. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/2002, Vol. 92 Issue 7, p3524, 6p, 2 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Structural properties of hot wire a-Si:H films deposited at rates in excess of 100 Å/s.
Autor: Mahan, A. H., Xu, Y., Williamson, D. L., Beyer, W., Perkins, J. D., Vanecek, M., Gedvilas, L. M., Nelson, B. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/2001, Vol. 90 Issue 10, p5038, 10p, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Si-H bonding in low hydrogen content amorphous silicon films as probed by infrared spectroscopy...
Autor: Mahan, A. H., Gedvilas, L. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/2000, Vol. 87 Issue 4, p1650, 9p, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Structural properties of hot-wire a-Si:H deposited at rates in excess of 100 Angstrom /s
Autor: Mahan, A. H., Xu, Y., Williamson, D. L., Beyer, W., Perkins, J. D., Vanecek, M., Gedvilas, L. M., Nelson, B. P.
Publikováno v: Journal of applied physics 90, 5038-5047 (2001). doi:10.1063/1.1407317
The structure of a-Si:H, deposited at rates in excess of 100 Angstrom /s by the hot wire chemical vapor deposition technique, has been examined by x-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, H evolution, and small-angle x-ray scattering (SAXS). The
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3364::38f0a7c558ba3cee71e7baa14058f39f
https://juser.fz-juelich.de/record/40789
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje