Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Ge−Si nanowire"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ang Li, Marcel A. Verheijen, Joost Ridderbos, Folkert K. de Vries, Matthias Brauns, Erik P. A. M. Bakkers, Jie Shen, Sebastian Kölling, Floris A. Zwanenburg, Wilfred G. van der Wiel, Alexander Brinkman
Publikováno v:
Nano Letters
Nano Letters, 20(1), 122-130. American Chemical Society
Nano Letters: a journal dedicated to nanoscience and nanotechnology, 20(1)
Nano letters, 20(1), 122-130. American Chemical Society
Nano Letters, 20(1), 122-130. American Chemical Society
Nano Letters: a journal dedicated to nanoscience and nanotechnology, 20(1)
Nano letters, 20(1), 122-130. American Chemical Society
We show a hard induced superconducting gap in a Ge-Si nanowire Josephson transistor up to in-plane magnetic fields of $250$ mT, an important step towards creating and detecting Majorana zero modes in this system. A hard induced gap requires a highly
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.