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pro vyhledávání: '"Gaz bidimensionnel d'électrons"'
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Autor:
Geneviève Fleury
Publikováno v:
Annales de Physique. 34:1-229
Nous etudions l'effet des interactions coulombiennes sur la localisation d'Anderson dans le gaz bidimensionnel d'electrons desordonne. L'objectif est de statuer sur la question de l'existence de metaux a deux dimensions. En l'absence d'interaction, l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6dc137add03633ff2fa1f38ce31217d3
https://doi.org/10.1051/anphys/2010003
https://doi.org/10.1051/anphys/2010003
Autor:
Fleury, Geneviève
Nous étudions l'effet des interactions coulombiennes sur la localisation d'Anderson dans le gaz bidimensionnel d'électrons désordonné. L'objectif est de statuer sur la question de l'existence de métaux à deux dimensions. En l'absence d'interact
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00516820
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/51/68/20/PDF/these_Fleury.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/51/68/20/PDF/these_Fleury.pdf
Autor:
Fleury, G.
Publikováno v:
Les Annales de Physique; September 2010, Vol. 34 Issue: 3 p1-229, 229p
Autor:
Haddab, Youcef.
Thèse no 1387 sciences EPF Lausanne.
Bibliogr.
Bibliogr.
Externí odkaz:
http://library.epfl.ch/theses/?nr=1387
Autor:
Kerdi, Banan Khaled
Publikováno v:
Condensed Matter [cond-mat]. Université Paul Sabatier-Toulouse III, 2021. English. ⟨NNT : 2021TOU30009⟩
Transition metal dichalcogenides are made up of a stack of atomic monolayers bound together by weak Van der Waals interactions. When a single layer of this material is isolated, the crystal inversion symmetry is broken, leading to the degeneracy lift
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::89c04efffe0b413c5ff433b96e076fb2
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03236106
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03236106
Autor:
Nifa, Iliass
Le travail de thèse effectué porte sur la caractérisation électrique et la modélisation du gaz d’électrons à deux dimensions (2D) dans les dispositifs MOS-HEMT à base de l’hétérojonction AlGaN/AlN/GaN. Ces dispositifs ont un fort potent
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018GREAT015/document
Autor:
Nifa, Iliass
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT015⟩
This thesis aims at studying the electrical characterization and modelling of two-dimensional (2D) electron gas in MOS-HEMT devices based on the hetero-junction AlGaN/AlN/GaN. These devices are very promising candidates for power electronics applicat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bda681a22722ef49a0d824b56940ee69
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01866731
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01866731