Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"Gayduchenko, I."'
Autor:
Kravtsov, M., Shilov, A. L., Yang, Y., Pryadilin, T., Kashchenko, M. A., Popova, O., Titova, M., Voropaev, D., Wang, Y., Shein, K., Gayduchenko, I., Goltsman, G. N., Lukianov, M., Kudriashov, A., Taniguchi, T., Watanabe, K., Svintsov, D. A., Principi, A., Adam, S., Novoselov, K. S., Bandurin, D. A.
Light incident upon materials can induce changes in their electrical conductivity, a phenomenon referred to as photoresistance. In semiconductors, the photoresistance is negative, as light-induced promotion of electrons across the band gap enhances t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.18492
Autor:
Shein, K., Zharkova, E., Kashchenko, M. A., Kolbatova, A. I., Lyubchak, A., Elesin, L., Nguyen, E., Semenov, A., Charaev, I., Schilling, A., Goltsman, G. N., Novoselov, K. S., Gayduchenko, I., Bandurin, D. A.
Publikováno v:
Nano Letter 24, 7, 2282 - 2288, 2024
The rapid development of infrared spectroscopy, observational astronomy, and scanning near-field microscopy has been enabled by the emergence of sensitive mid- and far-infrared photodetectors. Owing to their exceptional signal-to-noise ratio and fast
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2311.13150
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bandurin, D. A., Svintsov, D., Gayduchenko, I., Xu, S. G., Principi, A., Moskotin, M., Tretyakov, I., Yagodkin, D., Zhukov, S., Taniguchi, T., Watanabe, K., Grigorieva, I. V., Polini, M., Goltsman, G., Geim, A. K., Fedorov, G.
Publikováno v:
Nature Communications 9, 5392 (2018)
Plasmons, collective oscillations of electron systems, can efficiently couple light and electric current, and thus can be used to create sub-wavelength photodetectors, radiation mixers, and on-chip spectrometers. Despite considerable effort, it has p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1807.04703
Autor:
Ryzhii, V., Otsuji, T., Ryzhii, M., Leiman, V. G., Fedorov, G., Goltzman, G. N., Gayduchenko, I. A., Titova, N., Coquillat, D., But, D., Knap, W., Mitin, V., Shur, M. S.
We consider the carrier transport and plasmonic phenomena in the lateral carbon nanotube (CNT) networks forming the device channel with asymmetric electrodes. One electrode is the Ohmic contact to the CNT network and the another contact is the Schott
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.05306
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Tunnel field-effect transistors (TFETs) are considered as main candidates for future low-power electronic circuits. The origin of low-power switching is the steep dependence of source-drain interband tunneling current on the overlap between conductio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bdc2850299ec22e2c8de1d4b9e327832
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gayduchenko, I., Kardakova, A., Fedorov, G., Voronov, B., Finkel, M., Jiméénez, D., Morozov, S., Presniakov, M., Goltsman, G.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 19, p194303-1-194303-9, 9p, 2 Diagrams, 1 Chart, 6 Graphs