Výsledky vyhledávání - "Gay, B.P"

Knihovna AV ČR, v. v. i.

Odhlásit
Přihlášení
Jazyk
- English
- Čeština
Instituce

Knihovna bude uzavřena od 23. 12. 2024 do 3. 1. 2025.

Pokročilé vyhledávání

Zahrnout EIZ

Zachovat současné nastavení filtrů

EXPAND:"fulltext"

Domovská stránka
Vyhledávání: "Gay, B.P"
Navrhnout nákup titulu

Zobrazeno 1 - 10 of 38 pro vyhledávání: '"Gay, B.P"'

Řazení

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

Vybrat výsledek číslo 1 1

Akademický článek

A simulation study on the effect of channel thickness on the characteristics of Ga0.52In0.48P/In0.2Ga0.8As/Ga0.52In0.48P DH-pHEMT

Autor: Yoon, S.F. ^*, Kam, A.H.T., Zheng, H.Q., Gay, B.P.

Publikováno v: In Microelectronics Journal August 2000 31(8):667-676

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 2 2

Akademický článek

Growth optimization of InGaP layers by solid source molecular beam epitaxy for the application of InGaP/In0.2Ga0.8As/GaAs high electron mobility transistor structures

Autor: Zheng, H.Q ^*, Yoon, S.F, Gay, B.P, Mah, K.W, Radhakrishnan, K, Ng, G.I

Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 15 June 2000 216(1-4):51-56

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 3 3

Akademický článek

Observation of weak ordering effects and surface morphology study of InGaP grown by solid source molecular beam epitaxy

Autor: Yoon, S.F. ^*, Mah, K.W., Zheng, H.Q., Gay, B.P., Zhang, P.H.

Publikováno v: In Microelectronics Journal January 2000 31(1):15-21

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 4 4

Akademický článek

Molecular beam epitaxial growth of high performance In 0.48Ga 0.52P/In 0.20Ga 0.80As/GaAs p-HEMTs using a valved phosphorus cracker cell

Autor: Yoon, Soon F ^*, Gay, B.P, Zheng, H.Q, Kam, Adele H.T

Publikováno v: In Materials Science & Engineering B 2000 74(1):151-157

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 5 5

Akademický článek

Optimization of In xGa 1− xP/In 0.2Ga 0.8As/GaAs high electron mobility transistor structures grown by solid source molecular beam epitaxy

Autor: Zheng, H.Q ^*, Yoon, S.F, Gay, B.P, Mah, K.W, Radhakrishnan, K, Ng, G.I

Publikováno v: In Materials Science & Engineering B 2000 75(2):110-114

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 6 6

Akademický článek

Deep level effects on the characteristics of Al 0.24Ga 0.76As/In 0.20Ga 0.80As/GaAs and In 0.48Ga 0.52P/In 0.20Ga 0.80As/GaAs high electron mobility transistors grown by solid source molecular beam epitaxy

Autor: Yoon, S.F ^*, Yip, K.H, Zheng, H.Q, Gay, B.P

Publikováno v: In Solid State Electronics 2000 44(11):1909-1916

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 7 7

Akademický článek

A simulation study on pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMT) fabricated using the GaInP/InGaAs material system

Autor: Yoon, S.F. ^*, Kam, Adele H.T., Gay, B.P., Zheng, H.Q.

Publikováno v: In Solid State Electronics 2000 44(7):1267-1274

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 8 8

Akademický článek

A simulation study on the DC characteristics of the Ga 0.52In 0.48P/In 0.2Ga 0.8As/Ga 0.52In 0.48P double heterojunction pseudomorphic high electron mobility transistor

Autor: Yoon, S.F ^*, Kam, Adele H.T, Gay, B.P, Zheng, H.Q

Publikováno v: In Solid State Electronics 2000 44(6):1035-1042

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 9 9

Akademický článek

Effect of deep levels on the characteristics of InGa 1− xP/In 0.20Ga 0.80As/GaAs high-electron mobility transistor grown by solid-source MBE

Autor: Yoon, S.F ^*, Yip, K.H, Zheng, H.Q, Gay, B.P

Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2000 217(1):33-39

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 10 10

Akademický článek

Study of In0.48Ga0.52P/In0.2Ga0.8As/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor using a two-dimensional device simulator

Autor: Yoon, S.F ^*, Kam, A.H.T, Gay, B.P, Zheng, H.Q, Ng, G.I

Publikováno v: In Microelectronics Journal August 1999 30(8):745-752

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

1
2
3
4
Další »
[4]

Vyhledávací nástroje:

RSS
Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání

Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR

Zdroje

Pouze tištěné dokumenty

Zahrnout EIZ

31 Akademické články
4 Konferenční materiály
3 Časopisy

3 electrons
3 modulation-doped field-effect transistors
3 transistors
2 high electron mobility transistor
1 double heterojunction
1 ingap
1 interface
1 molecular beam epitaxy
1 phemt

10 elsevier ltd
8 elsevier science ltd
5 ieee
4 elsevier b.v.
1 elsevier bv
1 elsevier science b.v.
1 elsevier sequoia sa

10 microelectronics journal
5 journal of crystal growth
5 solid state electronics
5 solid-state electronics
4 ieee transactions on electron devices
2 conference proceedings - international conference on indium phosphide and related materials
2 materials science & engineering b
1 conference proceedings 2000 international conference on indium phosphide & related materials (cat. no.00ch37107)
1 conference proceedings 2001 international conference on indium phosphide & related materials. 13th iprm (cat. no.01ch37198)
1 international journal of electronics
1 materials science and engineering b: solid-state materials for advanced technology
1 materials science and engineering: b

17 Scopus®
13 ScienceDirect
3 Supplemental Index
3 Complementary Index
1 Business Source Ultimate
1 Academic Search Ultimate

Od:

do:

Možnosti vyhledávání

Tematická mapa
Historie vyhledávání
Pokročilé vyhledávání

Objevte více

Abecední procházení

Hledáte pomoc?

Tipy pro vyhledávání

načítá se......