Zobrazeno 1 - 10
of 1 589
pro vyhledávání: '"Gate length"'
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 14, Iss 15, p 6689 (2024)
This study investigates the impact of oxide/nitride (ON) pitch scaling on the memory performance of 3D NAND flash memory. We aim to enhance 3D NAND flash memory by systematically reducing the spacer length (Ls) and gate length (Lg) to achieve improve
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/13e62709663e41c18cca4f6f2d2f112a
Publikováno v:
Molecules, Vol 29, Iss 13, p 3207 (2024)
Poly(p-phenylene ethynylene) (PPE) molecular wires are one-dimensional materials with distinctive properties and can be applied in electronic devices. Here, the approach called first-principles quantum transport is utilized to investigate the PPE mol
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3843227ca9de4968a4e7bb9c18227a99
Autor:
Islam, Naeemul, Yusof, Nur Syahadah, Packeer Mohamed, Mohamed Fauzi, M., Syamsul, Akbar Jalaludin Khan, Muhammad Firdaus, Ghazali, Nor Azlin, Hairi, Mohd Hendra
Publikováno v:
Microelectronics International, 2022, Vol. 40, Issue 1, pp. 63-67.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/MI-03-2022-0044
Autor:
Kyeongjun Kim, Seonghearn Lee
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 354-358 (2023)
The origin of a greater decrease in kink drain voltage $V_{kink}$ in floating body PD-SOI MOSFETs with gate lengths shorter than $0.35 ~\mu m$ is newly revealed. The $V_{kink}$ formula as a function of the internal body voltage and $I_{DS}$ is derive
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/40d021386a224f9796e37a026a18f419
Autor:
Ming-Wen Lee, Yueh-Chin Lin, Po-Sheng Chang, Yi-Fan Tsao, Heng-Tung Hsu, Chang-Fu Dee, Edward Yi Chang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 311-318 (2023)
This study reports AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) fabricated by the Stepper Lithography on a 4-inch wafer for Ka-Band applications. Small gate length (LG) of 100 nm was achieved through a 2-Step Photolithography Process and the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b7f1cea37d184f1899a1447628478196
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Molecules, Vol 28, Iss 14, p 5390 (2023)
Two-dimensional (2D) semiconductors are being considered as alternative channel materials as silicon-based field-effect transistors (FETs) have reached their scaling limits. Recently, air-stable 2D selenium nanosheet FETs with a gate length of 5 µm
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9b11991f83cf4319bd077dec45435dfc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.