Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Gate insulator thickness"'
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
As scaling down Si MOSFET devices degrade device performance in terms of short channel effects. Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) is one of the novel nanoelectronics devices that overcome those MOSFET limitations. The carbon nanotube f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::bd0f7bc07b4abfca363b388bad59cbd8
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31008
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31008
In this paper, we have studied a double gate nanoscale MOSFET for various channel materials using simulation approach. The device metrics considered at the nanometer scale are subthreshold swing (SS), drain induced barrier lowering (DIBL), on and off
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::564d58f1b3d388ee993609141c88a159
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30971
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30971
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.