Zobrazeno 1 - 10
of 296
pro vyhledávání: '"Gate drivers"'
Autor:
Khizra Abbas, Hans-Peter Nee
Publikováno v:
Energies, Vol 17, Iss 5, p 1060 (2024)
The demand for highly efficient and dynamic electric vehicles (EVs) has increased dramatically. The traction inverter, a pivotal component in an EV powertrain, plays a crucial role. This study is dedicated to designing a traction inverter with focus
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/70ce8eb88dfd4bacbf6b56d22f22b963
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 4, Pp 913-922 (2023)
Gatedriving circuits are a crucial part of the safety, compliance, and performance of switched-mode power converters. Traditionally, these circuits use a single pulse and employ a gate resistor to control silicon (Si) MOSFETs. Unfortunately, the perf
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/35257875c35340bca93f81ed31ab5df4
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 4, Pp 487-497 (2023)
In recent years, an increasing trend towards GaN integration can be observed, enabled by the lateral structure of the GaN technology. A key improvement over a discrete implementation is the integration of a monolithic gate driver. This tutorial-style
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/584522298ecd44e6a631f124299b467a
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 4, Pp 450-462 (2023)
Compared to state-of-the-art IGBTs, SiC power semiconductors allow to achieve ever higher system efficiencies and higher power densities in next-generation Variable Speed Drives (VSDs), thanks to their smaller relative chip size, ohmic on-state chara
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dc1b00c450bc4810a1c54c89efe5845c
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 3, Pp 651-664 (2022)
Galvanically isolated voltage measurements are becoming increasingly important for the characterization of converter systems with fast switching Wide-Bandgap (WBG) semiconductors. A very high Common Mode Rejection Ratio (CMRR) $> 80$dB for frequencie
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6063a5e185c24523938e354dc8dc45a4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 1038-1046 (2019)
This paper proposes fault-tolerant (FT) architecture for integrated gate drivers. It can automatically detect faults in the gate driver caused by external physical stress and then immediately repair them as well. As a result, it can contribute to hig
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/afb8d94d72af4e699a09e7c31fcf5783