Zobrazeno 1 - 10
of 602
pro vyhledávání: '"Garcia, M E"'
Autor:
Terekhin, P. N., Oltmanns, J., Blumenstein, A., Ivanov, D. S., Kleinwort, F., Garcia, M. E., Rethfeld, B., Ihlemann, J., Simon, P.
Understanding the mechanisms and controlling the possibilities of surface nanostructuring is of crucial interest from fundamental and practical perspectives. Here we report a direct experimental observation of laser-induced periodic surface structure
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.08672
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The accurate calculation of laser energy absorption during femto- or picosecond laser pulse experiments is very important for the description of the formation of periodic surface structures. On a rough material surface, a crack or a step edge, ultras
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.00688
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The problem of determining the porous silicon (PSi) optical constants, thickness, porosity, and surface quality using just reflectance data is board employing evolutionary algorithms. The reflectance measurements were carried out of PSi films over cr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1806.06335
Autor:
Blumenstein, A., Zijlstra, E. S., Ivanov, D. S., Weber, S. T., Zier, T., Kleinwort, F., Rethfeld, B., Ihlemann, J., Simon, P., Garcia, M. E.
Upon the excitation by an ultrashort laser pulse the conditions in a material can drastically change, altering its optical properties and therefore the relative amount of absorbed energy, a quan- tity relevant for determining the damage threshold and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1802.00101
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 121, 025103 (2017)
Within this work, the kinetics of the growing stage of porous silicon (PS) during the etching process was studied using the photoacoustic technique. A p-type Si with low resistivity was used as a substrate. An extension of Rosencwaig and Gersho model
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1603.02742
We present a finite-difference integration algorithm for solution of a system of differential equations containing a diffusion equation with nonlinear terms. The approach is based on Crank-Nicolson method with predictor-corrector algorithm and provid
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1511.08389
Publikováno v:
Journal of Applied Physics 119, 185103 (2016)
There are a few methodologies to monitoring the Porous Silicon (PS) formation in-situ. One of these methodologies is photoacoustic. Previous works that reported the use of photoacoustic to study the PS formation do not provide the physical explanatio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1511.07370