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Low temperature intermediate band metallic behavior in Ti implanted Si

Autor: Olea, Javier, Pastor, David, García-Hemme, Eric, García-Hernansanz, Rodrigo, del Prado, Álvaro, Mártil, Ignacio, González-Díaz, Germán

Publikováno v: In Thin Solid Films 31 August 2012 520(21):6614-6618

On the Optoelectronic Mechanisms Ruling Ti‐hyperdoped Si Photodiodes.

Autor: García‐Hemme, Eric, Caudevilla, Daniel, Algaidy, Sari, Pérez‐Zenteno, Francisco, García‐Hernansanz, Rodrigo, Olea, Javier, Pastor, David, del Prado, Álvaro, San Andrés, Enrique, Mártil, Ignacio, González‐Díaz, Germán

Publikováno v: Advanced Electronic Materials; Feb2022, Vol. 8 Issue 2, p1-12, 12p

Double Ion Implantation and Pulsed Laser Melting Processes for Third Generation Solar Cells.

Autor: García-Hemme, Eric^1,2, García-Hernansanz, Rodrigo¹, Olea, Javier^2,3, Pastor, David^1,2,3, del Prado, Álvaro¹, Mártil, Ignacio^1,2, Wahnón, Perla^2,3,4, Sanchez, Kefrén³, Palacios, Pablo^3,5, González-Díaz, Germán¹

Publikováno v: International Journal of Photoenergy. 2013, p1-7. 7p.

Respuesta infrarroja en silicio mediante implantación iónica de metales en transición

Autor: García Hemme, Eric

Publikováno v: E-Prints Complutense. Archivo Institucional de la UCM
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E-Prints Complutense: Archivo Institucional de la UCM
Universidad Complutense de Madrid

Esta tesis explora las posibilidades del Si supersaturado con metales de transición como candidato para una nueva generación de fotodetectores de infrarrojo (IR) compatibles con la tecnología CMOS y operados a temperatura ambiente. Los materiales

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