Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Gao Zhixuan"'
Publikováno v:
矿业科学学报, Vol 5, Iss 5, Pp 536-545 (2020)
The partial discharge occurs in IGBT device module of mine equipment.which leads to the breakdown of insulation and burns the device.In this paper the causes and characteristics of pd in IGBT module were studied.Therefore, based on the research of ma
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/627e12184e024f8c901138591f8c1e3d
Autor:
Guo, Yuqi, Li, Lin, Zheng, Zhongxiang, Yun, Hanrui, Zhang, Ruoyan, Chang, Xiaolin, Gao, Zhixuan
Since the first theoretically feasible full homomorphic encryption (FHE) scheme was proposed in 2009, great progress has been achieved. These improvements have made FHE schemes come off the paper and become quite useful in solving some practical prob
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.11519
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Ceramics International 1 March 2023 49(5):7785-7795
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.