Zobrazeno 1 - 10
of 129
pro vyhledávání: '"Gao, Hanwei"'
Autor:
Sculley, Justin, Kowkabany, Jeremy, LaFollette, Diana K., Perini, Carlo, Xin, Yan, Correa-Baena, Juan-Pablo, Gao, Hanwei
Halide perovskites is a new class of semiconductors with exceptional optoelectronic properties. Among many advantages offered by halide perovskites, the bandgap energy can be tuned in a much broader range than what was possible in conventional semico
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.09702
Autor:
Lian, Xiujun, Gao, Hanwei
Scanning photocurrent microscopy (SPCM) has been widely used for characterizing charge transport properties, in particular, the minority carrier diffusion length of semiconductors. However, studying lightly doped or intrinsic semiconductors using SPC
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.07089
Autor:
Liu, Tianhan, Adhikari, Yuwaraj, Wang, Hailong, Jiang, Yiyang, Hua, Zhenqi, Liu, Haoyang, Schlottmann, Pedro, Gao, Hanwei, Weiss, Paul S., Yan, Binghai, Zhao, Jianhua, Xiong, Peng
Electrical generation and transduction of polarized electron spins in semiconductors are of central interest in spintronics and quantum information science. While spin generation in semiconductors has been frequently realized via electrical injection
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.18964
Autor:
Hua, Zhenqi, Ben-Akacha, Azza, He, Qingquan, Liu, Tianhan, Boyce, Gillian, van Deventer, Margaret, Lin, Xinsong, Gao, Hanwei, Ma, Biwu, Xiong, Peng
Publikováno v:
ACS Energy Lett. 2022, 7, XXX, 3753_3760
Metal halide perovskites possess many physical properties amenable to optoelectronic applications, whereas the realization of these potentials has been hampered by their environmental and electronic instabilities. The morphological and molecular low
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2210.10134
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yao, Yutong, Qian, Rui, Gao, Hanwei, Dai, Yonghao, Shi, Yueru, An, Peipei, Xin, Benkai, Liu, Ziyu, Zhang, Nan, Wan, Youzhong, He, Yuquan, Hu, Xin
Publikováno v:
NPJ Precision Oncology; 11/12/2024, Vol. 8 Issue 1, p1-15, 15p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Progress in Materials Science August 2019 105
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2013 Jan . 110(3), 865-869.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/42006370