Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"Gann, K."'
Autor:
Gann, K. R., Pieczulewski1, N., Gorsak, C. A., Heinselman, K., Asel, T. J., Noesges, B. A., Smith, K. T., Dryden, D. M., Xing, H. G., Nair, H. P., Muller, D. A., Thompson, M. O.
Optimizing thermal anneals of Si-implanted $\beta$-Ga$_2$O$_3$ is critical for low resistance contacts and selective area doping. We report the impact of annealing ambient, temperature, and time on activation of room temperature ion-implanted Si in $
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2311.00821
Publikováno v:
In Journal of the European Ceramic Society August 2022 42(10):4328-4334
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
McCandless, J. P., Chang, C. S., Nomoto, K., Casamento, J., Protasenko, V., Vogt, P., Rowe, D., Gann, K., Ho, S. T., Li, W., Jinno, R., Cho, Y., Green, A. J., Chabak, K. D., Schlom, D. G., Thompson, M. O., Muller, D. A., Xing, H. G., Jena, D.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 8/28/2021, Vol. 119 Issue 6, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.