Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Gani, Yohanes S."'
Publikováno v:
Phys. Rev. B 101, 195416 (2020)
We study the electronic structure of heterostructures formed by a graphene nanoribbon (GNR) and a transition metal dichalcogenides (TMD) monolayer using first-principles. We consider both semiconducting TMDs and metallic TMDs, and different stacking
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.08501
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 235404 (2019)
We study the low-energy electronic structure of heterostructures formed by one sheet of graphene placed on a monolayer of ${\rm NbSe_2}$. We build a continuous low-energy effective model that takes into account the presence of a twist angle between g
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.00475
Publikováno v:
Phys. Rev. B 98, 205415 (2018)
Hexagonal boron nitride is an ideal dielectric to form two-dimensional heterostructures due to the fact that it can be exfoliated to be just few atoms thick and its a very low density of defects. By placing graphene nanoribbons on high quality hexago
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1808.10039
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.