Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Gan, Yebing"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Journal December 2015 46(12) Part B:1420-1425
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics (2079-9292); Aug2022, Vol. 11 Issue 15, p2347-2347, 12p
Autor:
Liang, Weishuang, Gan, Yebing
Publikováno v:
Electronics (2079-9292); Jul2022, Vol. 11 Issue 13, pN.PAG-N.PAG, 14p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 35:045001
A high linearity 1.575 GHz SiGe:HBT low noise amplifier (LNA) for global positioning system applications is described. The bipolar cascoded with an MOSFET LNA was fabricated in a commercial 0.18 μm SiGe BiCMOS process. A resistor bias feed circuit w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a697fe5c940d4fbcc903c9764d248391
https://doi.org/10.1088/1674-4926/35/4/045001
https://doi.org/10.1088/1674-4926/35/4/045001