Zobrazeno 1 - 10 of 2 558 pro vyhledávání: '"Gan, V"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Fabrication of semi-polar (11-22) GaN V-groove MOSFET using wet etching trench opening technique
Autor: Yidi Yin, Joseph Pinchbeck, Colm O'Regan, Ivor Guiney, David J. Wallis, Kean Boon Lee
In this letter, we report the fabrication of an enhancement-mode V-groove metal oxide semiconductor field-effect transistor on semi-polar (11-22) GaN platform. A wet crystallographic hydroxide-based etching approach to achieve a vertical inversion tr
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b185b933ab7180e4c68a82c6d2aa782d
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Enhanced stability of piezoelectric nanogenerator based on GaN/V 2 O 5 core-shell nanowires with capacitive contact.
Autor: Waseem A; Department of Physics, Chonnam National University, Gwangju 61186, Republic of Korea., Johar MA, Hassan MA, Bagal IV, Ha JS, Lee JK, Ryu SW
Publikováno v: Nanotechnology [Nanotechnology] 2020 Feb 07; Vol. 31 (7), pp. 075401. Date of Electronic Publication: 2019 Nov 01.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje