Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Gamucci, Andrea"'
Autor:
Castillo, Antonio Esau Del Rio, Pellegrini, Vittorio, Ansaldo, Alberto, Ricciardella, Filiberto, Sun, Haiyan, Marasco, Luigi, Buha, Joka, Dang, Zhiya, Gagliani, Luca, Lago, Emanuele, Curreli, Nicola, Gentiluomo, Silvia, Palazon, Francisco, Toth, Peter, Mantero, Elisa, Crugliano, Manuel, Gamucci, Andrea, Tomadin, Andrea, Polini, Marco, Bonaccorso, Francesco
Efficient and scalable production of two-dimensional (2D) materials is required to overcome technological hurdles towards the creation of a 2D-materials-based industry. Here, we present a novel approach developed for the exfoliation of layered crysta
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1804.10688
Autor:
Aliaj, Ilirjan, Pellegrini, Vittorio, Gamucci, Andrea, Karmakar, Biswajit, Pinczuk, Aron, Pfeiffer, Loren N., West, Ken W.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 87, 161303(R) (2013)
Magneto-luminescence studies in electron bilayers reveal the hallmarks of the even-denominator and other quantum Hall states in the intensities and energies of the inter-band optical recombination lines. In the presence of a small tunneling gap betwe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1212.2063
Autor:
Gamucci, Andrea, Pellegrini, Vittorio, Singha, Achintya, Pinczuk, Aron, Pfeiffer, Loren N., West, Kenneth W., Rontani, Massimo
Publikováno v:
Phys. Rev. B 85, 033307 (2012)
We observe a low-lying sharp spin mode of three interacting electrons in an array of nanofabricated AlGaAs/GaAs quantum dots by means of resonant inelastic light scattering. The finding is enabled by a suppression of the inhomogeneous contribution to
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1109.4758
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gamucci, Andrea1 andrea.gamucci@ipcf.cnr.it, Bourgeois, Nicolas2, Ceccotti, Tiberio3, Dobosz, Sandrine3, D'Oliveira, Pascal3, Galimberti, Marco4, Galy, Jean5, Giulietti, Antonio1, Giulietti, Danilo6, Gizzi, Leonida A.1, Hamilton, David J.5, Labate, Luca1, Marquès, Jean-Raphaël2, Monot, Pascal3, Popescu, Horia3, Réau, Fabrice3, Sarri, Gianluca1, Tomassini, Paolo7, Martin, Philippe3
Publikováno v:
IEEE Transactions on Plasma Science. Aug2008 Part 4 of 5, Vol. 36 Issue 4, p1699-1706. 8p. 3 Diagrams, 7 Graphs.
Autor:
Vaidotas Miseikis, Stefano Roddaro, E. Di Gennaro, Fabio Beltram, Camilla Coletti, Vittorio Pellegrini, Iacopo Torre, A. Gamucci, Fabio Miletto Granozio, I. Aliaj, A. Sambri, Marco Polini
Publikováno v:
APL Materials
APL Materials, Vol 4, Iss 6, Pp 066101-066101-7 (2016)
APL materials 4 (2016). doi:10.1063/1.4953821
info:cnr-pdr/source/autori:I. Aliaj, I. Torre, V. Miseikis, E. di Gennaro, A. Sambri, A. Gamucci, C. Coletti, F. Beltram, F. M. Granozio, M. Polini, V. Pellegrini, and S. Roddaro/titolo:Tunnel and electrostatic coupling in graphene-LaAlO3%2FSrTiO3 hybrid systems/doi:10.1063%2F1.4953821/rivista:APL materials/anno:2016/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:4
APL Materials, Vol 4, Iss 6, Pp 066101-066101-7 (2016)
APL materials 4 (2016). doi:10.1063/1.4953821
info:cnr-pdr/source/autori:I. Aliaj, I. Torre, V. Miseikis, E. di Gennaro, A. Sambri, A. Gamucci, C. Coletti, F. Beltram, F. M. Granozio, M. Polini, V. Pellegrini, and S. Roddaro/titolo:Tunnel and electrostatic coupling in graphene-LaAlO3%2FSrTiO3 hybrid systems/doi:10.1063%2F1.4953821/rivista:APL materials/anno:2016/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:4
We report on the transport properties of hybrid devices obtained by depositing graphene on a LaAlO3/SrTiO3 oxide junction hosting a 4 nm-deep 2-dimensional electron system. At low graphene-oxide inter-layer bias, the two electron systems are electric