Zobrazeno 1 - 10 of 165 pro vyhledávání: '"Gammon, P. M."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Dissertation/ Thesis
Development of SiC heterojunction power devices
Autor: Gammon, P. M.
Silicon carbide (SiC), with its wide bandgap, high thermal conductivity and natural oxide is a substrate that has given rise to a new generation of power devices than can operate at high temperature, high power and high frequency, though the material
Externí odkaz: http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.549224
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
The improvement of Mo/4H-SiC Schottky diodes via a P2O5 surface passivation treatment.
Autor: Renz, A. B., Shah, V. A., Vavasour, O. J., Bonyadi, Y., Li, F., Dai, T., Baker, G. W. C., Hindmarsh, S., Han, Y., Walker, M., Sharma, Y., Liu, Y., Raghothamachar, B., Dudley, M., Mawby, P. A., Gammon, P. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/14/2020, Vol. 127 Issue 2, p1-9, 9p, 4 Diagrams, 2 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje