Zobrazeno 1 - 10 of 51 pro vyhledávání: '"Galzerani, J C"'
1
Akademický článek
Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires.
Autor: Mohseni, P. K., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., LaPierre, R. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec2009, Vol. 106 Issue 12, p124306-124313, 7p, 5 Diagrams, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Chemical and structural aspects of annealed ZnSe/GaAs(001) heterostructures.
Autor: Mosca, D. H., Schreiner, W. H., Kakuno, E. M., Mazzaro, I., Silveira, E., Etgens, V. H., Eddrief, M., Zanelatto, G., Galzerani, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/2002, Vol. 92 Issue 7, p3569, 4p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Fourier-transform infrared and Raman spectroscopies of plasmon anisotropy in heavily doped GaAs/AlAs superlattices.
Autor: Pusep, Yu. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Milekhin, A. G., Moshegov, N. T., Toropov, A. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1996, Vol. 79 Issue 10, p8024, 6p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Comparative Raman studies of cubic and hexagonal GaN epitaxial layers.
Autor: Tabata, A., Enderlein, R., Leite, J. R., da Silva, S. W., Galzerani, J. C., Schikora, D., Kloidt, M., Lischka, K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1996, Vol. 79 Issue 8, p4137, 4p, 1 Chart, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Crystallization process of amorphous GaSb films studied by Raman spectroscopy.
Autor: Dias da Silva, J. H., da Silva, S. W., Galzerani, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1995, Vol. 77 Issue 8, p4044, 5p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Properties of Au-Zn Ohmic contacts to p-GaSb.
Autor: Oliveira, J. B. B., Olivieri, C. A., Galzerani, J. C., Pasa, A. A., de Prince, F. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/1989, Vol. 66 Issue 11, p5484, 4p, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Miniband effect on optical vibrations in short-period InGaAs/InP superlattices
Autor: Pusep, Yu A., de Giovanni Rodrigues, A., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, David Mario, LaPierre, R. R.
Publikováno v: CONICET Digital (CONICET)
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
instacron:CONICET
The formation of the miniband electron energy structure and its effect on optical vibrational modes were explored in doped InxGa1?xAs/InP superlattices with different periods. The analysis of the high resolution x-ray diffraction, Raman and magnetotr
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e2efe23a0f3cd045fec778d307881fdf
https://journals.aps.org/prb/pdf/10.1103/PhysRevB.73.235344
Zobrazit plný text záznamu
8
Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model
Autor: Galzerani, J C
Publikováno v: Repositório Institucional da USP (Biblioteca Digital da Produção Intelectual)
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::a3b4ee92ddfd77f64da642ae6335dcc8
http://sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num3/v32_784.pdf
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje