Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Galluppi, M."'
Autor:
Rubel, O., Galluppi, M., Baranovskii, S. D., Volz, K., Geelhaar, L., Riechert, H., Thomas, P., Stolz, W.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/15/2005, Vol. 98 Issue 6, p063518, 7p, 3 Charts, 3 Graphs
Autor:
Klar, P. J., Teubert, J., Gu, M., Ngerich, Niebling, T., Gru, H., Ning, Heimbrodt, W., Volz, K., Stolz, W., Polimeni, Antonio, Capizzi, Mario, O'Reilly, E. P., Lindsay, A., Galluppi, M., Geelhaar, L., Riechert, H., Tomic, S.
GaN x As 1-x and Ga 1-y In y N x As 1-x are the most prominent members of a novel class of non-amalgamation type semiconductor alloys where a fraction x of the anions of the host (e.g., GaAs or Ga 1-y In y As) is replaced by N isovalent impurity atom
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::49c1a1032b3468fad80e84457fe555e1
http://hdl.handle.net/11573/235683
http://hdl.handle.net/11573/235683
Publikováno v:
Conference Record of the Twenty-Ninth IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2002; 2002, p270-273, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.