Zobrazeno 1 - 10
of 285
pro vyhledávání: '"Galloway, K. F."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Johnson, R. A., Witulski, A. F., Ball, D. R., Galloway, K. F., Sternberg, A. L., Reed, R. A., Schrimpf, R. D., Alles, J. M., Lauenstein, J. M., Javanainen, A., Raman, A., Chakraborty, P. S., Arslanbekov, R. R.
The onset of ion-induced reverse leakage current in SiC Schottky diodes is shown to depend on material properties, ion LET, and bias during irradiation, but not the voltage rating of the parts. This is demonstrated experimentally for devices from mul
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1222::739fe9189c7b5f9bc090a9bec5103fbc
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201910174498
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201910174498
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ball, D. R., Sierawski, B. D., Galloway, K. F., Johnson, R. A., Alles, M. L., Sternberg, A. L., Witulski, A. F., Reed, R. A., Schrimpf, R. D., Javanainen, Arto, Lauenstein, J-M.
Cross sections and failure in time rates for neutron-induced single-event burnout (SEB) are estimated for SiC power MOSFETs using a method based on combining results from heavy ion SEB experimental data, 3-D TCAD prediction of sensitive volumes, and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1222::3f20b06b5ef3f17dbb89aa01aceac0f1
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201912135275
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201912135275
Autor:
Witulski, A. F., Arslanbekov, R., Raman, A., Schrimpf, R. D., Sternberg, A., Galloway, K. F., Javanainen, Arto, Grider, D., Lichtenwalner, D. J., Hull, B.
Ion-induced degradation and catastrophic failures in high-voltage SiC Junction Barrier Schottky (JBS) power diodes are investigated. Experimental results agree with earlier data showing discrete jumps in leakage current for individual ions, and show
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1222::f73f9aa1a730c6fcf7411f84fce98fda
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201801251329
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201801251329
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Saigne, F., Dusseau, L., Albert, L., Fesquet, J., Gasiot, J., David, J. P., Ecoffet, R., Schrimpf, R. D., Galloway, K. F.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 10/15/1997, Vol. 82 Issue 8, p4102, 6p, 13 Graphs
