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pro vyhledávání: '"Galliumnitrid"'
Autor:
Hentschel, R., Wachowiak, A., Großer, A., Kotzea, S., Debald, A., Kalisch, H., Vescan, A., Jahn, A., Schmult, S., Mikolajick, T.
We report and discuss the performance of an enhancement mode n-channel pseudo-vertical GaN metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The trench gate structure of the MOSFET is uniformly covered with an Al₂O₃ dielectric and TiN e
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https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A81245
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Autor:
Meyer, Kevin
The start of the Hubble Space Telescope in 1990 was a milestone for the observation and research of the universe. Since the Hubble Space Telescope will reach its end of a lifetime in the late 2020s, alternatives have to be developed. A good alternati
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2ef2395df00fe3b1b258952b6100b0a6
In this report the influence of the growth conditions on the surface morphology of AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire-based and bulk GaN substrates is nondestructively investigated with focus on the decoration of defects and the surface rou
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https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A81180
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Autor:
Holmberg, Wilhelm
GaN-HEMTs (Gallium Nitride-based High Electron Mobility Transistors) have, thanks to the large band gap of GaN, electrical properties that are suitable for applications of high electrical voltages, high currents, and fast switching. The large band ga
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http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-336759
Autor:
Schneidereit, Martin F.
In this thesis, bio-chemical sensors with optical read-out are investigated. They are characterized in various experimental situations and optimized for optimal sensitivity in later applications in labs, hospitals, or industry. The sensor is formed b
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7c450af3fbf74703cc9bf312076565b3
Autor:
Kahl, Tino
Diese wissenschaftliche Arbeit setzt sich mit dem Design, der baulichen Umsetzung und der Untersuchung eines auf Galliumnitrid (GaN) basierten bidirektionalen DC-DC-Wandlers auseinander. Die DC-DC-Wandler-Hardware gliedert sich in die Hoch- und Niede
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f84e85cb3f646d3a9f536042e2b7628f
Autor:
Kuhn, Eduard
In dieser Dissertation werden verschiedene Methoden zur Simulation der Dynamik der optischen Moden einer Fabry-Pérot-Laserdiode diskutiert. Experimentell lässt sich hierbei der Effekt des Modenrollens oder Modenhüpfens beobachten. Hier sind zu ein
Autor:
Zimmermann, Friederike
Galliumnitrid (GaN) ist ein Schlüsselmaterial zur Produktion von elektronischen Hochfrequenz- und Hochleistungsbauelementen sowie Leuchtdioden. Zum Erreichen der optimalen Bauelementleistung ist ein tiefgreifendes Verständnis sowie die Kontrolle vo
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Autor:
Schneider, Tom
Verbindungshalbleiter mit einer großen Bandlücke wie Galliumnitrid (GaN) sind aufgrund ihrer hervorragenden elektronischen Eigenschaften für die Halbleiterindustrie von großem Interesse. Die Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie, die auf dem physikali
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