Zobrazeno 1 - 10 of 68 923 pro vyhledávání: '"Gallium nitride."'
1
Akademický článek
Hybrid High-Power AlGaN/CdZnO/GaN/AlGaN HEMT with High Breakdown Voltage.
Autor: Kim, Bonghwan1 (AUTHOR) bhkim@cu.ac.kr, Park, Seung-Hwan1 (AUTHOR)
Publikováno v: Materials (1996-1944). Nov2024, Vol. 17 Issue 22, p5560. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Optimization Conditions for High-Power AlGaN/InGaN/GaN/AlGaN High-Electron-Mobility Transistor Grown on SiC Substrate.
Autor: Kim, Bonghwan1 (AUTHOR) bhkim@cu.ac.kr, Park, Seung-Hwan1 (AUTHOR)
Publikováno v: Materials (1996-1944). Nov2024, Vol. 17 Issue 22, p5515. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
High breakdown voltages on pseudo-vertical p–n diodes by selective area growth of GaN on silicon.
Autor: Kaltsounis, Thomas1,2 (AUTHOR), El Amrani, Mohammed1 (AUTHOR), Plaza Arguello, David1 (AUTHOR), El Rammouz, Hala1 (AUTHOR), Lafossas, Matthieu1 (AUTHOR), Torrengo, Simona1 (AUTHOR), Mendizabal, Laurent1 (AUTHOR), Gueugnot, Alain1 (AUTHOR), Mariolle, Denis1 (AUTHOR), Jalabert, Thomas1 (AUTHOR), Buckley, Julien1 (AUTHOR), Cordier, Yvon2 (AUTHOR), Charles, Matthew1 (AUTHOR) matthew.charles@cea.fr
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 11/7/2024, Vol. 136 Issue 17, p1-9. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Direct Growth of Wafer‐Scale Self‐Separated GaN on Reusable 2D Material Substrates.
Autor: Huang, Chang‐Hsun1 (AUTHOR), Wu, Chia‐Yi1 (AUTHOR), Chou, Yi‐Chia1 (AUTHOR) ycchou@ntu.edu.tw
Publikováno v: Advanced Science. 11/6/2024, Vol. 11 Issue 41, p1-11. 11p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Polarization-Doped InGaN LEDs and Laser Diodes for Broad Temperature Range Operation.
Autor: Aktas, Muhammed1 (AUTHOR) maktas@unipress.waw.pl, Grzanka, Szymon1 (AUTHOR), Marona, Łucja1 (AUTHOR), Goss, Jakub2 (AUTHOR), Staszczak, Grzegorz1 (AUTHOR), Kafar, Anna1 (AUTHOR), Perlin, Piotr1 (AUTHOR) piotr@unipress.waw.pl
Publikováno v: Materials (1996-1944). Sep2024, Vol. 17 Issue 18, p4502. 12p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Pros and Cons of (NH 4) 2 S Solution Treatment of p-GaN/Metallization Interface: Perspectives for Laser Diode.
Autor: Levchenko, Iryna1 (AUTHOR) julita.smalc.koziorowska@unipress.waw.pl, Kryvyi, Serhii2,3 (AUTHOR) kryvyi@ifpan.edu.pl, Kamińska, Eliana1 (AUTHOR) levchenko@unipress.waw.pl, Smalc-Koziorowska, Julita1 (AUTHOR) jacek@unipress.waw.pl, Grzanka, Szymon1 (AUTHOR) grzegorz.nowak@unipress.waw.pl, Kacperski, Jacek1 (AUTHOR) lucja@unipress.waw.pl, Nowak, Grzegorz1 (AUTHOR) piotr@unipress.waw.pl, Kret, Sławomir2 (AUTHOR) kret@ifpan.edu.pl, Marona, Łucja1 (AUTHOR), Perlin, Piotr1 (AUTHOR)
Publikováno v: Materials (1996-1944). Sep2024, Vol. 17 Issue 18, p4520. 18p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Recent progress of Ga2 O3 materials and devices based on the low-cost, vacuum-free Mist-CVD epitaxial growth method.
Autor: Zeyulin Zhang1, Pengru Yan1, Qingwen Song1,2 qwsong@xidian.edu.cn, Haifeng Chen3, Wentao Zhang4, Hao Yuan1, Fengyu Du1, Dinghe Liu1, Dazheng Chen1,2 dzchen@xidian.edu.cn, Yuming Zhang1
Publikováno v: Fundamental Research. Sep2024, Vol. 4 Issue 5, p1292-1305. 14p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Modelling and Evalaution of the Bidirectional Surge Current Robustness of Si(-IGBT and -Diode), SiC(-MOSFETs and -JFET) and GaN(-HEMTs) Devices.
Autor: Nehmer, Dominik1 (AUTHOR) dominik.nehmer@uni-bayreuth.de, Ringelmann, Tim1 (AUTHOR), Bakran, Mark-M.1 (AUTHOR) bakran@uni-bayreuth.de
Publikováno v: Energies (19961073). Sep2024, Vol. 17 Issue 17, p4362. 17p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
3.3–4.3 GHz efficient continuous class-F gallium nitride power amplifier based on simplified real frequency technique and harmonic tuning.
Autor: Sadeque, Md. Golam1 (AUTHOR) zubaida.yusoff@gmail.com, Yusoff, Zubaida2 (AUTHOR) msadeque.eee@pust.ac.bd, Roslee, Mardeni2 (AUTHOR) mardeni.roslee@mmu.edu.my, Hashim, Shaiful Jahari3 (AUTHOR), Mohd Marzuki, Azah Syafiah4 (AUTHOR), Lees, Jonathan5 (AUTHOR), Zubir, Farid6 (AUTHOR), Al-Bawri, Samir Salem7 (AUTHOR)
Publikováno v: PLoS ONE. 8/14/2024, Vol. 19 Issue 8, p1-23. 23p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje