Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Gallium Nitride (GaN) transistors"'
Publikováno v:
Actuators, Vol 12, Iss 4, p 136 (2023)
Nanopositioners with embedded piezoelectric motors are used in a variety of industries, from microscopy to laser processing or measurement systems. A concrete example would be fine-tuning of multiple mirror or lens units in a system. After fine adjus
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b8df36ed647945a8a366e62b59b2cd65
Autor:
Juana M. Martinez-Heredia, Francisco Colodro, Jose Luis Mora-Jimenez, Alejandro Remujo, Joaquin Soriano, Sergio Esteban
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 88014-88025 (2020)
Wide band-gap (WBG) semiconductors technology represents a potential candidate to displace conventional silicon (Si) technology used in power electronics. Between Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) power semiconductors, the latter is the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d0ffa1d3c8b6447eaaae170f065f6641
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Martinez-Heredia, Alejandro Remujo, F. Colodro, Jose Luis Mora-Jimenez, Sergio Esteban, Joaquin Soriano
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 88014-88025 (2020)
idUS. Depósito de Investigación de la Universidad de Sevilla
instname
idUS: Depósito de Investigación de la Universidad de Sevilla
Universidad de Sevilla (US)
idUS. Depósito de Investigación de la Universidad de Sevilla
instname
idUS: Depósito de Investigación de la Universidad de Sevilla
Universidad de Sevilla (US)
Wide band-gap (WBG) semiconductors technology represents a potential candidate to displace conventional silicon (Si) technology used in power electronics. Between Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) power semiconductors, the latter is the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::71ec4c27c124c1b8f3e74bef6148292c
https://ieeexplore.ieee.org/document/9087856/
https://ieeexplore.ieee.org/document/9087856/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Faraji, Rasoul, Farzanehfard, Hosein, Kampitsis, Georgios, Mattavelli, Marco, Matioli, Elison, Esteki, Morteza
In this article, a soft-switched nonisolated high step-up multi-input dc-dc converter is proposed. The proposed converter has overcome the hard switching problem of the conventional boost three port converter (boost-TPC) by providing zero-voltage-swi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______185::bbd14cc309e4d1a0d5d38ce6ed056e11
https://infoscience.epfl.ch/record/278692
https://infoscience.epfl.ch/record/278692
