Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Galkin, S. N."'
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 1, Pp 36-42 (2018)
ZnSxSe1–x based luminescent materials are promising for use as X-ray and γ-ray detectors. The main advantage of ZnSxSe1–x crystals is the possibility of making of solid solutions over an entire X-range. It was found that varying the composition
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/30f36452eae4414b8b99312d641ea804
Autor:
Katrunov K. A., Lalayantz A. I., Gal’chinetskiy L. P., Starzhinskiy N. V., Zhukov A. V., Galkin S. N., Brilyova Ye., Zenya I. M., Trubaeva O. G.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 1-2, Pp 60-64 (2011)
The optimal technological regime of formation ZnS1–xTex solid solution at spacing 0,0≤х≤0,1 has been determined, and has been shown that fritting in hydrogen atmosphere results in more rapid reaction in comparison to argon due to chemical-ther
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0f89ea4adfdf44d08ba0a8df65444d76
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Crystallography Reports. Dec2008, Vol. 53 Issue 7, p1163-1167. 5p. 1 Diagram, 3 Graphs.
Autor:
Gal'chinetskii, L. P.1 iren@isc.kharkov.com, Galkin, S. N.1, Ryzhikov, V. D.1, Rybalka, I. A.1, Voronkin, E. F.1, Lalayants, A. I.1, Starzhinskii, N. G.1, Silin, V. I.1
Publikováno v:
Inorganic Materials. Sep2005, Vol. 41 Issue 9, p934-938. 5p. 1 Diagram, 2 Charts, 1 Graph.
Autor:
Gal Chinetskii, L. P., Lalayants, A. I., Onishchenko, G. M., Galkin, S. N., Mariya Dobrotvorskaya, Kamalieddin, R. F.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8e53508d04dd2b8a27fa522be3ab0b46
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135446
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135446
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Stanetska, A. S., Tomashyk, V. N., Stratiychuk, I. B., Tomashyk, Z. F., Kravetskyy, M. Yu., Galkin, S. N.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2015, Vol. 18 Issue 4, p416-421, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.