Zobrazeno 1 - 10
of 96
pro vyhledávání: '"Galbrecht, F."'
Autor:
Arif, M., Yun, M., Gangopadhyay, S., Ghosh, K., Fadiga, L., Galbrecht, F., Scherf, U., Guha, S.
Ethyl-hexyl substituted polyfluorene (PF) with its high level of molecular disorder can be described very well by one-carrier space-charge-limited conduction for a discrete set of trap levels with energy $\sim$ 0.5 eV above the valence band edge. Swe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0703554
Autor:
Galambosi, S., Knaapila, M., Soininen, J. A., Nygård, K., Huotari, S., Galbrecht, F., Scherf, U., Monkman, A. P., Hämäläinen, K.
We present a non-resonant inelastic x-ray scattering study at the carbon K-edge on aligned poly[9,9-bis(2-ethylhexyl)-fluorene-2,7-diyl] and show that the x-ray Raman scattering technique can be used as a practical alternative to x-ray absorption mea
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0608623
Autor:
Knaapila, M., Almásy, L., Garamus, V.M., Ramos, M.L., Justino, L.L.G., Galbrecht, F., Preis, E., Scherf, U., Burrows, H.D., Monkman, A.P.
Publikováno v:
In Polymer 15 April 2008 49(8):2033-2038
Publikováno v:
In Journal of Luminescence 2007 122:212-217
Autor:
Knaapila, M., Dias, F. B., Garamus, V. M., Almásy, L., Torkkeli, M., Leppänen, K., Galbrecht, F., Preis, E., Burrows, H. D., Scherf, U., Monkman, A. P.
Publikováno v:
Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal
Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (RCAAP)
instacron:RCAAP
Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (RCAAP)
instacron:RCAAP
We report on the phase behavior of poly(9,9-dihexylfluorene) (PF6), poly(9,9-diheptylfluorene) (PF7), poly(9,9-dioctylfluorene) (PF8), poly(9,9-dinonylfluorene) (PF9), and poly(9,9-didecylfluorene) (PF10) in methylcyclohexane (MCH). After a heating
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d29e2d02f9b586c22bbbdf8fe9160cf2
Autor:
Zen, A., Pingel, P., Neher, D., Grenzer, J., Zhuang, W., Rabe, J. P., Bilge, A., Galbrecht, F., Nehls, B., Farrell, T., Scherf, U., Abellons, R. D., Grozema, F. C., Siebbeles, L. D. A.
Publikováno v:
Chemistry of Materials (2007)
DPG-spring meeting of the Division Condensed Matter, 27.-31.03.2006, Dresden, Germany
DPG-spring meeting of the Division Condensed Matter, 27.-31.03.2006, Dresden, Germany
Two types of highly soluble oligothiophene based swivel cruciform are presented as semiconducting materials in OFETs. Transistor made from one of these oligomers exhibited mobilities of more than 0.01 cm^2/Vs and current on/off ratio of >105. This is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::29a3ad9ead0bb6dbd1ab2f349a745674
https://www.hzdr.de/publications/Publ-8373-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-8373-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Riedl, T., Rabe, T., Görrn, P., Wang, J., Weinmann, T., Hinze, P., Galbrecht, F., Scherf, U., Kowalsky, W.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2007 Part 2, Issue 1, p66550V-66550V-15, 15p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.