Zobrazeno 1 - 10
of 627
pro vyhledávání: '"Galazka, Z"'
The anisotropic thermal conductivity and the phonon mean free path (mfp) in monoclinic $\beta$-Ga$_2$O$_3$ single crystals and homoepitaxial films of several $\mu$m were determined using the 3$\omega$-method in the temperature range from 10K-300 K. T
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.11341
Publikováno v:
Nucl.Instrum.Meth.A 1033 (2022) 166682
The spectral shape of forbidden beta-decays is a crucial benchmark for nuclear physics calculations and has important implications also for astroparticle physics experiments. Among the interesting isotopes in this field, $^{115}$In is an excellent ca
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.03934
Autor:
Rastogi, A., Li, Z., Singh, A. V., Regmi, S., Peters, T., Bougiatioti, P., Meier, D. Carsten né, Mohammadi, J. B., Khodadadi, B., Mewes, T., Mishra, R., Gazquez, J., Borisevich, A. Y., Galazka, Z., Uecker, R., Reiss, G., Kuschel, T., Gupta, A.
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 14, 014014 (2020)
Efficient spin injection from epitaxial ferrimagnetic NiFe$_2$O$_4$ thin films into a Pd layer is demonstrated via spin Seebeck effect measurements in the longitudinal geometry. The NiFe$_2$O$_4$ films (60 nm to 1 $\mu$m) are grown by pulsed laser de
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2006.00777
Publikováno v:
In Heliyon November 2023 9(11)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 11 June 2022 1033
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds July 2021
Autor:
Nazarzahdemoafi, M., Titze, F., Machulik, S., Janowitz, C., Galazka, Z., Manzke, R., Mulazzi, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 93, 081303 (2016)
The electronic structure of the transparent semiconductor In2O3 has been studied by angle resolved photoemission spectroscopy upon deposition of metallic indium and also tin on the surface of the semiconductor. By deposition of metallic indium on In2
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1510.08391
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.