Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Gaillard, Fred"'
Autor:
Berlingard, Quentin, Lugo-Alvarez, Jose, Bawedin, Maryline, Contamin, Lauriane, Galy, Philippe, De Franceschi, Silvano, Meunier, Tristan, Vinet, Maud, Gaillard, Fred, Cassé, Mikaël
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2022 194
Autor:
Berlingard, Quentin, Lugo-Alvarez, Jose, Contamin, Lauriane, Durand, Cédric, Galy, Philippe, Juge, Andre, De Franceschi, Silvano, Vinet, Maud, Meunier, Tristan, Cassé, Mikaël, Gaillard, Fred
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2022 194
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Front and back channels coupling and transport on 28 nm FD-SOI MOSFETs down to liquid-He temperature
Autor:
Paz, Bruna Cardoso, Cassé, Mikaël, Haendler, Sebastien, Juge, Andre, Vincent, Emmanuel, Galy, Philippe, Arnaud, Franck, Ghibaudo, Gérard, Vinet, Maud, de Franceschi, Silvano, Meunier, Tristan, Gaillard, Fred
Publikováno v:
In Solid State Electronics December 2021 186
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mota Frutuoso, Tadeu, Garros, Xavier, Lugo-Alvarez, José, Kom Kammeugne, Roméo, Mohgouk Zouknak, Louis David, Viey, Abygaël, Vandendaele, William, Ferrari, Philippe, Gaillard, Fred
Publikováno v:
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022)
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), Mar 2022, Dallas, United States. ⟨10.1109/IRPS48227.2022.9764550⟩
IEEELink
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), Mar 2022, Dallas, United States. ⟨10.1109/IRPS48227.2022.9764550⟩
IEEELink
International audience; Two Ultra-Fast capacitance characterization methods based on the displacement current measure are explored for MOS capacitance devices. The first method measure the variation of charge obtained from several 100ns short pulses
Autor:
Kammeugne, R. Kom, Kammeugne, Romeo Kom, Leroux, Charles, Cluzel, Jacques, Vauche, Laura, Le Royer, Cyrille, Gwoziecki, Romain, Biscarrat, Jérôme, Gaillard, Fred, Charles, Matthew, Bano, Edwige, Ghibaudo, Gérard
Publikováno v:
2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Sep 2020, Caen, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365637⟩
2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Sep 2020, Caen, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365637⟩
We develop a new protocol based on Y-function for accurate statistical extraction of electrical parameters of High Electron Mobility Transistor (HEMT) devices for GaN technology. Relevant electrical parameters such as oxide capacitance, threshold vol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1ad460e527a0c0ca8e43941964429b38
https://cea.hal.science/cea-03167130
https://cea.hal.science/cea-03167130
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.