Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Gafton, V"'
Autor:
Trassinelli, M, Carlsson, L Bernard, Cervera, S, Eddrief, M, Etgens, V, Gafton, V, Lacaze, E, Lamour, E, Lévy, M, Macé, S, Prigent, C., Rozet, J. -P., Steydli, S, Marangolo, M, Vernhet, D
Publikováno v:
J. Phys. Condens. Matter 29, 055001 (2017)
Investigations of the complex behavior of the magnetization of manganese arsenide thin films due to defects induced by irradiation of slow heavy ions are presented. In addition to the thermal hysteresis suppression already highlighted in M. Trassinel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1611.06109
Autor:
Cervera, S, Trassinelli, M, Marangolo, M, Carlsson, L. Bernard, Eddrief, M, Etgens, Victor H., Gafton, V, Hidki, S, Lamour, E, Lévy, A, Macé, S, Prigent, C, Rozet, J. -P, Steydli, S, Zheng, Y, Vernhet, D
Publikováno v:
J. Phys. CS 635, 012028 (2015)
In a recent experiment we demonstrated the possibility to suppress the thermal hysteresis of the phase transition in giant magnetocaloric MnAs thin film by interaction with slow highly charged ions (Ne 9+ at 90 keV) [1]. This phenomenon has a major i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1511.05724
Autor:
Trassinelli, Martino, Marangolo, Massimiliano, Eddrief, M., Etgens, V. H., Gafton, V., Hidki, S., Lacaze, Emmanuelle, Lamour, Emily, Prigent, Christophe, Rozet, Jean-Pierre, Steydli, S., Zheng, Y., Vernhet, Dominique
Publikováno v:
M. Trassinelli et al., Appl. Phys. Lett. 104, 081906 (2014)
We present the investigation on the modifications of structural and magnetic properties of MnAs thin film epitaxially grown on GaAs induced by slow highly charged ions bombardment under well-controlled conditions. The ion-induced defects facilitate t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1402.2754
Autor:
Trassinelli, Martino, Gafton, V., Eddrief, M., Etgens, V. H., Hidki, S., Lacaze, Emmanuelle, Lamour, Emily, Luo, X., Marangolo, M., Merot, Jacques, Prigent, Christophe, Reuschl, Regina, Rozet, Jean-Pierre, Steydli, S., Vernhet, Dominique
Publikováno v:
Nucl. Instrum. Methods 317, 154-158 (2013)
We present the first investigation on the effect of highly charged ion bombardment on a manganese arsenide thin film. The MnAs films, 150 nm thick, are irradiated with 90 keV Ne$^{9+}$ ions with a dose varying from $1.6\times10^{12}$ to $1.6\times10^
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1212.3288
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Trassinelli, M., Marangolo, M., Eddrief, M., Etgens, V. H., Gafton, V., Hidki, S., Lacaze, E., Lamour, E., Prigent, C., Rozet, J.-P., Steydli, S., Y. Zheng, Vernhet, D.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 2/24/2014, Vol. 104 Issue 8, p1-5, 5p, 6 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.