Zobrazeno 1 - 10
of 1 794
pro vyhledávání: '"Gaas alas"'
Publikováno v:
Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên, Vol 132, Iss 1B (2023)
Using the renormalized wavefunction approach, we examined the excitonic quantum beat in a three-level system in disk-shaped quantum dots. The non-stationary electron wave function and the time-dependent exciton absorption intensity under the effect o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3f1e17676fd24dfe9ec2e4b0fcc1afbf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 13, Iss 1, Pp 1-13 (2018)
Abstract Advanced semiconductor superlattices play important roles in critical future high-tech applications such as aerospace, high-energy physics, gravitational wave detection, astronomy, and nuclear related areas. Under such extreme conditions lik
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/17e9569e41794a33b1eda997c086ffa6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
X Lü, B Röben, K Biermann, J R Wubs, U Macherius, K-D Weltmann, J H van Helden, L Schrottke, H T Grahn
We report on terahertz (THz) quantum-cascade lasers (QCLs) based on GaAs/AlAs heterostructures, which exhibit single-mode emission at 3.360, 3.921, and 4.745 THz. These frequencies are in close correspondence to fine-structure transitions of Al atoms
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d0f591cb82820fd3c7ef3cb869421056
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
JETP Letters. 114:332-336
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. K. Paprotskiy, I. V. Altukhov, A. N. Vinichenko, Miron S. Kagan, I. S. Vasil’evskii, N. A. Khvalkovskiy, S. E. Dizhur
Publikováno v:
Journal of Communications Technology and Electronics. 66:1385-1387
The strong effect of weak interband illumination on tunneling transport in doped GaAs/AlAs superlattices was found under conditions of electric domain formation. The photoresponse at voltages below the threshold one (before the domain formation) did