Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"GaN-based FETs"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 9, p 1541 (2022)
This paper presents a strategy to design ultrawideband power amplifiers with a fractional bandwidth of approximately 200%. It exploits a simple output matching network, which consists of a series transmission line together with a shunt stub, to compe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f845492c0971419b98482ab1797f0bd9
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 4, p 497 (2022)
This paper presents a simple method to design wideband Doherty power amplifiers (DPAs) based on the synthesis of a combiner network which can mimic the response of an ideal compensation of the device reactive output equivalent network and exploit the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9bec524716fc4d20aa2678430c156bca
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
This paper presents a novel technique for the design of broadband Doherty power amplifiers (DPAs), supported by a simplified approach for the initial bandwidth estimation that requires linear simulations only. The equivalent impedance of the Doherty
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ac753c1940aef9e77ba554fb7fa76ddf
https://orca.cardiff.ac.uk/id/eprint/105349/8/08125144.pdf
https://orca.cardiff.ac.uk/id/eprint/105349/8/08125144.pdf
Autor:
Michael J. Uren, Martin Kuball, James W Pomeroy, Khaled Elgaid, Hassan Hirshy, Hareesh Chandrasekar, Paul J. Tasker, A. Eblabla, Michael A. Casbon
Publikováno v:
Chandrasekar, H, Uren, M, Casbon, M A, Hirshy, H, Eblabla, A, Elgaid, K, Pomeroy, J, Tasker, P & Kuball, M 2019, ' Quantifying Temperature-dependent Substrate Loss in GaN-on-Si RF Technology ', IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 4, 8641454, pp. 1681-1687 . https://doi.org/10.1109/TED.2019.2896156
Intrinsic limits to temperature-dependent substrate loss for GaN-on-Si technology, due to the change in resistivity of the substrate with temperature, are evaluated using an experimentally validated device simulation framework. Effect of room tempera
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a08c4e4448985376a6d291d4e07b0fee
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Roberto Quaglia, Vittorio Camarchia, Jorge Julian Moreno Rubio, Edison Ferney Angarita Malaver, Marco Pirola
Publikováno v:
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
This letter presents the design strategy for an ultra-wideband, high-efficiency hybrid power amplifier based on a commercial GaN-HEMT. The measurement results demonstrate a state-of-the-art fractional bandwidth of 145.5%, with saturated output power
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6cc5f9bf8656f606f4439b4ca3eca2b8
http://hdl.handle.net/11583/2642320
http://hdl.handle.net/11583/2642320