Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"GaN vertical transistor"'
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 4, p 709 (2023)
We report that, for the first time, a low-temperature GaN (LT-GaN) layer prepared by metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD) regrowth was used as a Mg stopping layer (MSL) for a GaN trench current–aperture vertical electron transistor (CA
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27ec61e838044cf6bcbb6254a92912ab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Srabanti Chowdhury, Dong Ji, Silvia H. Chan, Stacia Keller, Umesh K. Mishra, Gaudenzio Meneghesso, Matteo Borga, Enrico Zanoni, Wenwen Li, Maria Ruzzarin, Matteo Meneghini, Anchal Agarwal, Chirag Gupta
Publikováno v:
IRPS
Vertical GaN devices are currently studied for application in next-generation power converters, but very little is known about their reliability. This work presents the first analysis on the stability of In-Situ Oxide GaN Interlayer based Vertical Tr
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.